Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Исследование поверхностных состояний методом эффекта поля

 

Для исследования поверхностных состояний полупроводника широкое применение получил метод эффекта поля.

Полученная таким образом система представляет собой плоский конденсатор. При приложении к нему внешней разности потенциалов V на его обкладках индуцируется заряд Q=CV величина которого может быть определена путем измерения емкости конденсатора С и приложенной разности потенциалов V.

В то время, как в металле индуцированный заряд О локализуется непосредственно на поверхности, в полупроводнике он простирается на значительную глубину от поверхности, вызывая изгиб зон. На рисунке изображен изгиб зон в полупроводнике р-типа. Изгиб зон приводит к изменению концентрации носителей тока в приповерхностном слое и, как следствие этого, к изменению его электропроводности.

Явление изменения проводимости полупроводника под действием поперечного электрического поля называется эффектом поля.

Если бы в полупроводнике не было поверхностных состояний, то индуцированный заряд в нем состоял бы из заряда подвижных носителей, подтянутых в приповерхностный слой из объема полупроводника.

В действительности же на поверхности полупроводника всегда имеется большое число поверхностных состояний, захватывающих носителей тока из приповерхностного слоя. Поэтому заряд Q, индуцированный в полупроводнике, составляется из заряда Qsc, подвижны)* носителей в приповерхностном слое и неподвижного заряда Qss, захваченного поверхностными состояниями:

Q=Qsc+Qss

 

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Обедненный, инверсионный и обогащенный слои полупроводника | Поверхностная рекомбинация
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 652; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.