Методы изоляции элементов

В полупроводниковых ИС используются как биполярные, так и МДП - структуры. Различие в структурах, а также способах электрической изоляции элементов приводит к различию функциональных возможностей электрических характеристик.

Технологии изготовления биполярных и МДП - транзисторов близки, хотя есть и некоторые особенности: необходимость специальных процессов для изоляции элементов в биполярных схемах и процессов получения тонких пленок подзатворного диэлектрика в МДП - схемах.

Технологический процесс производства полупроводниковых ИС многооперационный и длительный. Общее число технологических операций превышает 500, а длительность технологического цикла -до 50 дней.

При создании полупроводниковых ИС малой и средней степени интеграции широко используются способы изоляции обратновключенным р-п - переходом и диэлектрическими пленками двуокиси кремния. Для БИС разработана технология изоляции с одновременным использованием р-п-перехода и диэлектрических пленок.

Изолирующий р-п-переход создается путем диффузии акцепторной примеси на глубину, обеспечивающую соединение образующихся при этой диффузии р-областей с р-подложкой. В этом случае эпитаксиальный п-слой разделяется на отдельные п-области (изолирующие "карманы"), в которых создаются потом транзисторы. Эти области будут электрически изолированы только в том случае, если образовавшиеся р-п-переходы имеют обратное включение.

Изоляция достигается, если потенциал подложки п-р-п-транзистора будет наименьшим из потенциалов точек структуры. В этом случае обратный ток через р-п-переход незначителен и практически исключается связь между п-областями (карманами) соседних транзисторов.

Литература:

1. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов / — 2-е изд., перераб. и доп. — М.Лаборатория Базовых Знаний, 2004. — 488 с: ил. I

2. Марголин В,И., Жабрев В.А., Тупик В.А. Физические основы микроэлектроники. - М.: Издательский центр "Академия", 2008. - 400 с.

3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.: «Советское радио», 1971, стр. 376.

Дата добавления: 2014-01-07