Общие сведения. Классификация полупроводниковых диодов

Классификация полупроводниковых диодов.

Общие сведения.

Лекция 2. Полупроводниковые диоды

Тема 1. Полупроводниковые приборы

Литература: 1.Гусев В.Г. Электроника: Учеб. для вузов /В.Г.Гусев,

Ю.М.Гусев. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк.,

1991. – 622 с.

2. Прянишников В.А. Электроника: Полный курс лекций

/В.А.Прянишников. – 4-е изд. – СПб.: Корона принт,

2006. – 416 с.

3. Ушаков В.Н. Электротехника и электроника: Учеб.

пособие для вузов. –М.: Радио и связь, 1997. – 328 с.

Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним электрическим р-п-переходом и двумя выводами.

В основе работы большинства полупроводниковых диодов лежат процессы, происходящие в р-п -переходе, причем в реальных диодах, как правило, используются несимметричные р-п -переходы. В таких переходах одна из областей кристалла (область с большей концентрацией основных носителей) бывает достаточно низкоомной, а другая – высокоомной. Ток через диод при прямом включении р-п -перехода практически полностью определяется потоком основных носителей низкоомной области. Поэтому ее называют эмиттером. В связи с большей концентрацией носителей в низкоомной области ширина р-п -перехода в ней оказывается меньше, чем в высокоомной. Если различие в концентрации основных носителей велико, то р-п -переход почти целиком расположится в высокоомной области, которая получила название базы.

На рисунке 1 показано распределение основных носителей и толщины р-п -перехода в кристалле полупроводникового диода.

На рисунке 2 показана ВАХ диода в сравнении с ВАХ обычного (анализируемого ранее) р-п -перехода. Различия в характеристиках связаны с тем, что при анализе свойств р-п -перехода не учитывались особенности структуры кристалла диода, сопротивления полупроводниковых слоев, ширина перехода.

Рисунок 1

Рисунок 2

Дата добавления: 2014-01-07