Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Постоянные запоминающие устройства


 

Постоянные запоминающие устройства предназначены для многократного чтения однажды записанной информации. С точки зрения записи в них информации, ПЗУ подразделяются на следующие виды:

- память только для чтения - запись информации в таких устройствах осуществляется в процессе их производство и при их эксплуатации возможно только чтение записанных данных;

- память с однократной записью - потребитель перед началом использования ПЗУ записывает сам свои данные и в дальнейшем информация только читается;

- ПЗУ с возможностью перезаписи - в таких устройствах при эксплуатации возможно выполнение как операции чтение, так и операции записи информации, однако основной операцией в таких ЗУ является операция чтении, так как операция записи занимает сравнительно большое время и, как правило, для ее реализации требуется специальное оборудование.

На рис. 3.6‑5. приведена диодная реализация ПЗУ. На начальном этапе изготовления такого ПЗУ создается матрица, в которой каждая вертикальная шина

связана с каждой горизонтальной шиной цепочкой, состоящей из последовательно включенных диода (D) и легкоплавкой перемычки

 

 


 

D

 

Рис. 3.6‑5

легкоплавкой перемычки (лпп). При записи информации ненужные связи вертикальных и горизонтальных шин удаляются за счет посылки в них тока повышенной мощности, в результате чего «лпп» разогреваются и испаряются. Перезапись информации в таких ПЗУ невозможно.

В ПЗУ, приведенном на этом Рис. 2.7‑5, запоминающая среда состоит из трех ячеек памяти, в каждом из которых хранится четырех разрядное слово:

- по первому адресу записано слово 1011;

- по второму адресу записано слово 1100;

- по первому адресу записано слово 0011.

Выбор ячейки (адресация) осуществляется за счет подачи отрицательного сигнала на одну из адресных шин А1 , А2, А3. Это приводит к тому, что на четырех разрядном выходе появляется код, соответствующий слову, записанному в выбранном адресе.

На рис. 3.6‑6 a) приведена транзисторная реализация ПЗУ. В схеме используются трех эмиттерные транзисторы Т1, Т2, Т3. Запись информации так же, как и в предыдущем случае, осуществляется посредством удалении соответствующих легкоплавких перемычек.



В приведенной схеме реализована запоминающая среда, состоящая из трех слов по три бита в каждом. Выбор нужного слова осуществляется за счет подачи положительного сигнала по соответствующей адресной шине Аi, при этом на выходе появляется код, значения в разрядах которого соответствует комбинации перемычек и их отсутствия в цепях эмиттеров выбранного транзистора. В приведенной реализации возможна только однократная запись.

 

 

 
 

 


+

 

 

 

Рис. 3.6‑6

 

На рис. 3.6‑6b) приведен запоминающий элемент ПЗУ с возможностью многократной перезаписи. Запоминающий элемент представлен в виде цепочки из последовательно включенных транзисторов Т1 и Т2. Транзистор Т1 открыт, если на его затворе (з) имеет место соответствующий заряд, открывающий переход «сток (ст) - исток (и)». Такое условие можно создать, подав соответствующий сигнал на адресную шину Аi. Транзистор Т2 имеет плавающий, т.е. изолированный, затвор (пз). Чтобы транзистор был открыт, на его затворе необходимо создать соответствующий заряд, что обеспечивается за счет подачи повышенного положительного напряжения на его переход «исток и сток». Заряд на плавающих затворах создают в Т2 только в тех запоминающих элементах, в которых необходимо записать единицу.

Перезапись информации осуществляется за счет стирания ранее записанной информации и записи новых данных.

Стирание информации, т.е. ликвидация заряда в плавающем затворе осуществляется за счет подачи напряжения, обратной полярности.

Операция перезаписи в таких ПЗУ занимает большое время, поэтому в таких ПЗУ основной операцией является операция чтения.


[1] Именем этого математика был назван один из самых распространенных современных алгоритмических языков программирования.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Оперативная память | JK-триггеры

Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 185; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Рекомендуемые страницы:

Читайте также:
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2021) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление
Генерация страницы за: 0.003 сек.