КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Усилительных элементов
Нагрузочные и динамические характеристики План (логика) изложения матери Лекция 5
Экспресс - проверка знаний пройденного материала: 1 Нарисовать схемы стабилизации комбинированную и комбинированную на полевом транзисторе. 2 Нарисовать схемы стабилизации напряжения коллекторную и эмиттерную. 3 Нарисовать схемы параметрической стабилизации режима транзистора. 4 Нарисовать схемы нестабилизированные смещения рабочей точки транзистора. 5 Напишите ключевые слова к теме лекции 4. После изучения лекции 5 студент должен знать: принцип построения динамических характеристик транзистора, параметры - h транзистора. Уметь: нарисовать и рассчитать динамические характеристики транзистора и основные параметры – h транзистора.
В практических схемах транзисторных усилителей в выходную цепь транзистора наряду с источником питания включают сопротивление нагрузки, а во входную — источник усиливаемого сигнала. Режим работы транзистора с нагрузкой называется динамическим. В этом режиме токи и напряжения на электродах транзистора не остаются постоянными, а непрерывно изменяются. Рассмотрим работу транзистора, включенного по наиболее распространенной схеме с общим эмиттером, в динамическом режиме (рисунок 1.20, а). В этой схеме напряжение источника питания Ек распределяется между участком коллектор — эмиттер (выходом схемы) и нагрузочным сопротивлением RH так, что напряжение
Uкэ = Eк - IкRн. (1.40)
Выражение (1.40) представляет собой уравнение динамического режима для выходной цепи. Изменения напряжения на входе транзистора вызывают соответствующие изменения тока эмиттера, базы, а следовательно, и тока коллектора Iк. Это приводит к изменению напряжения на Rн, в результате чего изменяется и напряжение U кэ. Обратим внимание на то, что питание транзистора в рассматриваемой схеме (как и в любой другой схеме с общим эмиттером) производится от одного источника Ек. Напряжение на эмиттерный переход подается через резистор Rб в цепи базы. Величина сопротивления этого резистора определяет исходную величину постоянного тока базы транзистора при отсутствии входного сигнала. Характеристики транзистора, находящегося в динамическом режиме, отличаются от характеристик статического режима, так как они определяются не только свойствами самого транзистора, но и свойствами элементов схемы.
а) б)
Рисунок 1. 25 - Динамическая характеристика в семействе выходных характеристик (а) и входная динамическая характеристика (б)
Наиболее часто используются выходные и входные динамические характеристики. На рисунке 1.25, а изображены выходные статические характеристики транзистора и приведена динамическая характеристика (нагрузочная прямая) АВ, соответствующая сопротивлению нагрузки Rн. Положение нагрузочной прямой на статических характеристиках однозначно определяется напряжением источника питания Ек и сопротивлением резистора RH. Точка В пересечения нагрузочной прямой с осью напряжений совпадает с точкой, в которой напряжение на коллекторе равно Ек. Действительно, эта точка соответствует случаю, когда ток коллектора равен нулю. При этом ток в нагрузочном сопротивлении отсутствует и падение напряжения на сопротивлении нагрузки равно нулю. Следовательно, все напряжение источника питания Ек оказывается приложенным к участку коллектор—эмиттер транзистора. Точка А пересечения нагрузочной прямой с осью токов совпадает, с точкой, для которой удовлетворяется условие
Iк = Ек/ Rн. (1.41) так как ток коллектора в случае, если бы транзистор можно было открыть полностью (или закоротить), ограничивался бы только величиной сопротивления Rн. Все промежуточные положения точек на линии нагрузки характеризуют возможные напряжения и токи в соответствующих цепях транзистора при подаче сигнала с учетом сопротивления нагрузки. Любому току базы соответствуют вполне определенные значения тока коллектора и коллекторного напряжения.
Например, если в режиме покоя (до поступления входного сигнала) был установлен ток базы Iбэ, то рабочая точка Р на нагрузочной прямой укажет соответствующие этому току значения Iк и Uкэ (рисунок 1.25, а). Входная динамическая характеристика представляет собой зависимость входного тоад от входного напряжения в динамическом режиме (рисунок 1.25,б). Чтобы построить входную динамическую характеристику,: нужно, для каждого напряжения на коллекторе (для которого имеется статическая входная характеристика) определить по выходной динамической характеристике соответствующий ток базы. Затем на входных статических характеристиках следует отметить точки, которые соответствуют найденным значениям токов базы. Если теперь соединить эти точки А', Р', В' (рисунок 1.25, б) плавной кривой линией, то получим входную динамическую характеристику транзистора.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 354; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |