Основные параметры p-n-перехода

1. Контактная разность потенциалов:

, где

- концентрация электронов собственного полупроводника (зависит от температуры),

N _a N _d – концентрация акцепторной (и донорной) примеси соответственно,

– температурный потенциал (равен 25мВ при Т=300 градусов по Кельвину),

– энергия, которую должны приобрести свободные носители заряда, чтобы преодолеть электрическое поле (потенциальный барьер) p-n-перехода.

2. Ширина p-n-перехода: l_pn = l_p + l_n

p-n-переход состоит из двух областей:

-Если N_a=N_d, то l_p=l_n и переход называется симметричным.

-Если N_a> <N_d, то l_p> <l_n (противоположное соотношение), такой переход несимметричен, причем сам переход располагается в области с меньшей концентрацией примеси (слабоконцентрированной).

Дата добавления: 2014-01-07