КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
МДП-транзисторы или транзисторы с изолированным затвором
В них металлический затвор изолирован от токопроводящего канала, образованного при поверхностном слое полупроводника, слоем диэлектрика. Принцип действия МДП-транзистора основан на управлении пространственным зарядом канала (то есть проводимостью канала ρ) через слой диэлектрика. В зависимости от способа создания канала, МДП-транзисторы бывают двух видов: 1)МДП-транзисторы с встроенным каналом. В них канал создаётся при изготовлении транзистора.
Выходная ВАХ: Передаточная ВАХ:
На этапе изготовления области стока n+ и истока n+ соединяются полупроводником n-типа, слаболегированным, который и представляет собой канал. 1) При Uзи=0 между стоком и истоком существует связь через канал. При подачи на сток положительного напряжения в цепи сток-исток протекает ток, ВАХ которого аналогична выходной ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. 2) При Uзи>0 между затвором и подложкой возникает электрическое поле, в котором электроны втягиваются в область канала из подложки и из областей стока и истока, при этом сопротивление канала уменьшается, а ток в цепи стока возрастает. (Область обогащения канала носителями заряда). 3) При Uзи<0 в канале возникает электрическое поле, в котором электроны канала выталкиваются вглубь подложки. Сопротивление канала возрастает, а ток стока уменьшается. (Область обеднения канала основными носителями заряда). 2)МДП-транзистор с индуцированным каналом.
1)Uзи=0 области стока и истока отделены друг от друга двумя p-n-переходами, смещенными в обратном направлении. 2)При Uзи>0 в объеме подложки создается электрическое поле, которое втягивает электроны в приповерхностный слой под затвором, изменяя ток проводимости этого слоя на противоположный. Так создается канал.
При изготовлении такого транзистора канал не создаётся, то есть области стока и истока отдельны друг от друга. Однако при подаче на затвор положительного напряжения под действием поля, в приповерхностной области затвора, появляется канал за счёт электронов втягиваемых в эту область из объёма подложки и областей стока и истока, то есть канал индуцируется электрическим полем.
Физическая схема замещения полевого транзистора и его основные параметры. Cзи,Cзк,Cзс и Cси – в основном все они малы по величине, поскольку диэлектрики обладают малой диэлектрической проницаемостью. Усилительные свойства транзистора характеризуются источником тока, который создает выходной ток, пропорциональный управляющему напряжению. I=SUзи, S0=Iс/Uзи – крутизна полевого транзистора. С ростом частоты переменного гармонического сигнала крутизна становится частотно зависимой: , где =cзиrк - постоянная времени крутизны. S0-дифференц-я крутизны, - выходное сопротивление полевого транзистора, характеризующее наклон выходной ВАХ на наклонном участке. На рабочем участке величина этого сопротивления >100Kom. Коэффициент усиления по напряжению В случае больших сигналов эквивалентная схема аналогична рассмотренной, но S – зависит от Uси и Uзи (нелинейно).
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 387; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |