КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Принцип работы
Оптоэлектронные преобразователи на приборах с зарядовой связью (ПЗС). Оптоэлектронный преобразователь (преобразователь свет-сигнал) предназначен для формирования сигнала яркости, соответствующего передаваемому изображению. Свет идущий от источника света попадает на оригинал в определенной точке. Отразившись от оригинала свет попадает на фотопринимающий элемент, где происходит преобразование интенсивности падающего света в электронный вид. В результате преобразования света получается электрический сигнал содержащий информацию об активности цвета в любой точке сканируемого изображения. Все современные преобразователи свет-сигнал выпускаются на ПЗС (CCD – Couple-Charged Device). 1960 – Texas Instrument – матрица фоточувствительных элементов. 1970 – Betf Lobs – принцип зарядовой связи. В основе приборов с зарядовой связью (ПЗС) лежат свойства МОП-структур накапливать и хранить зарядовые пакеты неосновных носителей в потенциальных ямах, образующихся у поверхности полупроводников под воздействием света или тепла. Основой ПЗС является МОП-конденсатор (металл-оксид-полупроводник). +U
Рис. 31. МОП-конденсатор
При отсутствии напряжения (+U) распределение электронов и дырок равномерно по поверхности полупроводника. При подаче напряжения (положительный потенциал) на затвор, создаваемое им электрическое поле, проникая в полупроводник сквозь диэлектрик (О) отталкивает подвижные положительные заряды (дырки) вглубь полупроводника. Под электродом возникает область, обедненная основными носителями – потенциальная яма. Глубина этой ямы зависит от приложенного напряжения (напряжение меньше - значит и яма меньше) и удельного сопротивления полупроводника. При воздействии света (поток фотонов) в потенциальной яме накапливается заряд пропорциональный освещенности и времени накопления. Так как отсутствуют основные носители (положительные заряды), то зарядный пакет сохраняется в течение некоторого времени. Если рядом с затвором достаточно близко располагается еще один затвор, +U1 +U2
Рис. 32. МОП-конденсаторы то потенциальная ямы объединяются и отрицательные заряды (электроны), находящиеся в одной потенциальной яме, перемещаются в соседнюю, если ее потенциал выше (+U1>+U2). Таким образом, если есть цепочка затворов, то подавая на них соответствующее управляющее напряжение, можно передавать зарядовый пакет вдоль такой структуры. По способу разделения процессов накопления и считывания приборы с зарядовой связью бывают временные и пространственные. По способу построения растра: линейные и матричные.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 410; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |