Эквивалентные линейные модели БТ, используемые при расчетах усилителей

Сравнительная характеристика усилителей на БТ

Параметр	ОЭ	ОК	ОБ
Кu	> 100	£ 1	10¸100
KI	~b(50¸100)	~b(50¸100)	a £ 1
Rвх	Среднее 1¸10 кОм	Высокое 10¸100Ком	Низкое 0,1¸1 КОм
Rвых	Среднее 10¸100кОм	Низкое 0,1¸1 Ком	Высокое 0,1¸1 МОм
fmax	Низкое <100 Мгц	Высокое ~ 100 МГц	Высокое ~ 400 МГц

1. Электрическая модель БТ с h-параметрами.

h_12э = (U_бэ/U_кэ)|_Diб=0 [-] – коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, определяет влияние выхода на вход

h_21э = (i_k/i_б)|_Duкэ=0 [-] – коэффициент передачи тока или коэффициент усиления по току

h_22э = (i_k/U_кэ)|_Diбо=0 [см] – выходная проводимость по току.

h – параметры либо находятся по ВАХ БТ, либо с помощью измерительных приборов. Обычно h – параметры измеряются на частоте f = 1КГц в режиме к. з. На выходе и х. х. на входе.

2. Физическая Т-образная модель транзистора.

В этой модели используются физические свойства БТ:

r_б – оммическое сопротивление внутренних областей базы 50¸200 Ом

r_э – дифференциальное сопротивление эммитерного перехода

r_э = j_т/I_эо; j_т @ 25 мВ при 300⁰ К

r_к* = r_к/(b+1), где r_к – сопротивление закрытого коллекторного перехода 0,1¸10МОм

b - коэффициент передачи тока базы

Дата добавления: 2014-01-07