Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Эквивалентные линейные модели БТ, используемые при расчетах усилителей

Сравнительная характеристика усилителей на БТ

 

Параметр ОЭ ОК ОБ
Кu > 100 £ 1 10¸100
KI ~b(50¸100) ~b(50¸100) a £ 1
Rвх Среднее 1¸10 кОм Высокое 10¸100Ком Низкое 0,1¸1 КОм
Rвых Среднее 10¸100кОм Низкое 0,1¸1 Ком Высокое 0,1¸1 МОм
fmax Низкое <100 Мгц Высокое ~ 100 МГц Высокое ~ 400 МГц

 

1. Электрическая модель БТ с h-параметрами.

 

 

h12э = (Uбэ/Uкэ)|Diб=0 [-] – коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, определяет влияние выхода на вход

h21э = (ik/iб)|Duкэ=0 [-] – коэффициент передачи тока или коэффициент усиления по току

h22э = (ik/Uкэ)|Diбо=0 [см] – выходная проводимость по току.

h – параметры либо находятся по ВАХ БТ, либо с помощью измерительных приборов. Обычно h – параметры измеряются на частоте f = 1КГц в режиме к. з. На выходе и х. х. на входе.

2. Физическая Т-образная модель транзистора.

 

 

В этой модели используются физические свойства БТ:

rб – оммическое сопротивление внутренних областей базы 50¸200 Ом

rэ – дифференциальное сопротивление эммитерного перехода

 

rэ = jт/Iэо; jт @ 25 мВ при 3000 К

rк* = rк/(b+1), где rк – сопротивление закрытого коллекторного перехода 0,1¸10МОм

b - коэффициент передачи тока базы

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Усилитель с ОК | Параметры усилителя ОЭ в области средних частот
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 319; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.