Усилитель с общим истоком

Усилители на ПТ

Коэффициент усиления ОЭ определяется отношением Rк к Rэ (при анализе и расчетах).

R_вых = 1/h₂₂ + R_э||(h₁₁ + R_г)

R_вых ОЭ увеличивается при наличии R_э, это следует из того, что имеет место ООС по току.

Полная эквивалентная схема ПТ, используемая на ВЧ.

R₃ = R_вх ~ 1¸10 МОм

С_зи ~ 1¸1000пФ

С_сз – проходная емкость ~ 0,1¸5 пФ

С_си – выходная емкость ~ 1¸10 пФ

С_зи >> С_си > С_зс

R_с – дифференциальное сопротивление канала

R_с =

S – крутизна передаточной характеристики на НЧ:

Эквивалентная схема ПТ совпадают с эквивалентной схемой вакуумного триода, и все расчеты справедливые для ламп справедливы для схем на ПТ.

Эквивалентная схема усилителя ОИ

R_u ® 0, C_u ® ¥

Влияние цепи R_u с C_u не учитываем.

R₃ = R₃₁||R₃₂

R’_c = R_k||R_c

R_k – сопротивление канала

СЧ

Влияние емкостей не учитывается.

R’_н = R_н ||R_с||R_к

R_вх = R_з

R_вых =R’_с = R_с||R_к

К_I – не имеет смысла, т. к. i_вх® 0

К_u = U_вых/U_вх = U_с/U_з = SR’_с

У самих ПТ очень большое R_вх, поэтому и усилители на ПТ характеризуются большими R_вх.

НЧ

K_u’ (w) = K_u0/(1+ 1/jwt_вх)(1+ 1/ jwt_вых)

t_вх = С₁(R_г + R_з)

t_вых = С₂(R_н + R_с’)

K (w) =

Т. к. R₃ большое (1 МОм), то даже на очень низких частотах емкость C₁ может быть небольшой.

Влияние C_u на НЧ можно учитывать также, как для схемы ОЭ при наличии C_э.

Эквивалентная схема в области ВЧ

приведенная эквивалентная схема ОИ в области ВЧ

С’_вх = С_зи + С_зс(1 - K_u) - эквивалентная входная емкость

С’_вых = С_зс + С_си + С_м + С_н - эквивалентная выходная емкость

t_вх = R_г*С’_вх

t_вых = R_н’*С’_вых

Для того, чтобы каскад ОИ удовлетворительно работал на ВЧ необходимо, чтобы на него поступал сигнал от источника напряжения (R_г®0), тогда влияние С_вх может быть сведено к минимуму.

K_u (w) =

w = 2pf

Дата добавления: 2014-01-07