1) последовательная ОС по I транзистора VT1 через R3
2) последовательная ОС по I транзистора VT2 через R6, R7 по постоянному току, С3 – блокируется переменным током
II. Общие ООС
1) параллельные ОС по I через R1 шунтирована С3 по постоянному току
2) последовательная ОС по U через R4.
Наличие таких ООС обеспечивается устойчивость работы схемы как в широком диапазоне t0, так и в широком диапазоне Епит.
Ku = 1/b @ R4/R3 @ 100
Этот коэффициент обеспечивается в широкой полосе частот вплоть до предельных частот транзистора.
ОС по напряжению обеспечивает низкое Rвых, что позволяет согласовывать по выходу такой усилитель с волновым сопротивлением кабеля Rкаб = 75, 50, 150 Ом.
Используются однотипные транзисторы. По такой структуре усилитель выпускается в виде интегральной схеме и внешними элементами являются С1, С2, С3.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление