Защита стабилизаторов напряжения

Практически все ИСН имеют встроенные цепи защиты от повреждения. В ИСН встраиваются следующие виды защиты:

- от перегрузки по выходному току (от короткого замыкания на выходе;

- коррекция области безопасной работы регулирующего транзистора;

- от перегрева.

Благодаря защите от перегрузки по выходному току, ИСН не повреждаются даже при коротких замыканиях выхода. Для данного типономинала ИСН указывается максимальная величина выходного тока, которая, однако, имеет некоторый разброс в пределах одного типономинала.

Коррекция области безопасной работы регулирующего транзистора проявляется в следующем. При увеличении падения напряжения на ИСН уменьшается его выходной ток. Поэтому уменьшение выходного тока ИСН в схеме может происходить не вследствие дефекта самого ИСН, а по другим причинам. В таком случае следует измерить величину падения напряжения на стабилизаторе.

Благодаря защите от перегрева ИСН не повреждается даже при работе без теплоотвода. Как только температура кристалла ИСН достигнет предельно допустимого значения, ИСН «отключается» (выходной ток становится равным нулю). Поэтому при работе ИСН без теплоотвода (радиатора) невозможно получить максимальное значение выходного тока. Следовательно «отключение» стабилизатора в процессе работы может свидетельствовать о его перегреве. В этом случае проблема может быть решена улучшением отвода тепла от микросхемы.

Зачастую все три вида защиты присутствуют в одном ИСН.

Несмотря на защиту от перегрузки по выходному току, стабилизаторы напряжения, построенные на ИСН, могут выходить из строя при коротком замыкании выхода. Рассмотрим схему, рис.2.118. Очевидно, что внешний проходной транзистор не имеет защиты от перегрузки по току. Данный недостаток устранен в схеме, рис.2.119.

Рис.2.119. Защита внешнего проходного транзистора стабилизатора от перегрузки по выходному току

Работает схема защиты следующим образом. При выходных токах, не превышающих предельно заданного значения, падение напряжения на резисторе R₁ недостаточно для открывания транзистора VT₁. Работа схемы (рис.2.119) аналогична работе схемы (рис.2.118). При превышении выходным током заданного уровня падение напряжения на резисторе R₁ увеличивается, транзистор VT₁ открывается и шунтирует небольшим сопротивлением своего перехода коллектор-эмиттер эмиттерный переход внешнего проходного транзистора VT₂. Транзистор VT₂ закрывается, и выходной ток ограничивается.

Дата добавления: 2014-01-07