ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ

ВОЗДЕЙСТВИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ПРИМЕСИ ВНЕДРЕНИЯ. ИОННЫЕ СТРУКТУРЫ

Большая часть металлов из-за больших размеров их атомов не может проникать в междоузлия плотных ионных кристаллических решеток. Такое проникновение возможно только лишь в случае ионизации этих атомов в среде с большой диэлектрической проницаемостью, что приводит к уменьшению их размеров и отрыву внешних электронов, которые будут блуждать по кристаллу и создадут электропроводность n-типа.

При увеличении температуры, действующей на собственный полупроводниковый материал, его удельное сопротивление уменьшается, а удельная проводимость возрастает:

,

где - начальная проводимость, которая зависит от материала и температуры, См/м,

- ширина запрещенной зоны, эВ,

k – постоянная Больцмана, Дж/К,

T – температура, К.

Для примесных полупроводников зависимость удельной проводимости от температуры определяется формулой:

,

где - начальная проводимость, зависящая от состава примеси и температуры, См/м,

- энергия активации, необходимая для переброса электронов на примесные уровни из валентной зоны или для переброса электронов с примесных уровней в зону проводимости, эВ.