Рисунок 8 – замещение в узле атома германия атомом индия
Рисунок 9 - энергетическая диаграмма полупроводникового кристалла с дырочной полупроводностью
1 – зона проводимости; 2 – примесная зона; 3 – запрещенная зона; 4 – валентная зона
Благодаря близости примесных уровней к ковалентной зоне все примесные атомы оказываются ионизированными уже при незначительных температурах. В нашем случае атомы примеси, приняв электроны из валентной зоны, становятся отрицательными ионами. Ион связана с кристаллами решеткой и не движется. Таким образом, в 2/3 кристалла обеспечивается дырками. Электропроводность такого кристалла называется дырочной, а примесь, отбирающая электроны из валентной зоны – акцепторной. 3-хвалентная акцепторная примесь создает в 4-хвалентном кристалле дырочную электропроводность.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление