Вопрос 13

полупроводниковым диодом называют прибор с одним или несколькими элект. переходами и двумя внешними выводами. Диоды классифицируются по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическими особенностями, виду исходного полупроводника.

По назначению различают следующие виды диодов: выпрямительные, детекторные, смесительные, модуляторные, умножительные, универсальные.

Существуют и другие классификационные признаки:

1) по частоте (высокочастотные, диоды, диоды СВЧ)

2) для работы в импульсном режиме (импульсные)

3) по виду ВАХ (диоды с N-образной или S-образной характеристикой, или диоды с отрицательным сопротивлением)

В зависимости от соотношения между шириной объединенного слоя перехода и периметром, диоды подразделяются на: точечные, микросплавные и плоскостные.

Одним из распространенных способов получения p-n перехода является вплавление. Очень широко используется вплавление индия, являющегося акцептором для германия; алюминия в кристалл кремния n-типа; вплавление фосфора или сурьмы в кремний p-типа

Рис 22 методы получения p-n переходов

а) сплавной; б) мезаструктура; в) точечный; г) планарный

электронно-дырочный переход можно получить, осуществляя диффузию примеси в исходную пластину полупроводника p- или n-типа. Уменьшение емкости p-n перехода осуществляется химическим путем: стравливается часть кристалла с одной стороны и получается мезаструктура. Малую емкость p-n перехода имеют также точечные диоды. Для изготовления такого перехода, электролитически заостренная металлическая игла приваривается к кристаллу полупроводника импульсом тока до 1А (метод формовки). Современным методом создания полупроводниковых приборов из кремния является планарная технология, основу которой составляет метод фотолитографии

рис 23 последовательность операций планарной технологии

а) окисление, нанесение фоторезиста; б) засвечивание; в) вскрытие окон; г) локальная диффузия

на исходной пластине кремния n-типа получают пленку окисла, которую затем покрывают слоем светочувствительного вещества (фоторезистом), после чего поверхность через фотошаблон засвечивают УФ светом. Затем слой фоторезиста проявляется с помощью проявителей, при этом облучении участки фоторезиста задубливаются и переходят в нерастворимое состояние, а необлученные участки растворяются. Далее осуществляется травление пленки окисла и получается окно для диффузии примеси. После этого спец составом удаляют слой фоторезиста; через образовавшееся окно проводят локальную диффузию примеси в исходную пластинку примеси и получают p-n переход.

Дата добавления: 2014-01-07