КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Дневной формы обучения
Медь Хлориды 95-110 ммоль/л Магний 0,7-1,2 ммоль/л Кальций общий 2,2-2,75 ммоль/л Калий 3,6-6,3 ммоль/л Натрий 135-152 ммоль/л Кальций ионизированный: 1,0-1,15 ммоль/л, Неорганический фосфор 0,81-1,55 ммоль/л · муж. 11,0-22,0 мкмоль/л · жен. 11,0-24,3 мкмоль/л
4.4.2.Функциональное значение ионов.
Наиболее важная буферная система крови — бикарбонатная система: Н2СО3 (угольная кислота) — NaHCO3 (бикарбонат натрия), общим ионом в которой является бикарбонатный ион (см. Буферные растворы). Большая часть ионов образуется при диссоциации NaHCO3: NaHCO3 Û + Na+. Бикарбонатные ионы, освобождающиеся при диссоциации соли, подавляют диссоциацию слабой угольной кислоты. Механизм буферного действия бикарбонатной системы крови состоит в следующем: при поступлении в кровь большого количества так называемых кислых эквивалентов ионы Н+ связываются ионами и образуют слабо диссоциирующую Н2СО3 до тех пор, пока концентрация водородных ионов снова не придет к норме. Если реакция крови сдвигается в щелочную сторону и в крови появляется избыток ионов ОН (ионов гидроксила), угольная кислота соединяется с ними и образует воду и ионы бикарбоната: OH- + H2CO3 = H2O + до тех пор, пока реакция среды не вернется к физиологической норме. Т.о., поступление в кровь избыточного количества кислых эквивалентов (или оснований), образующегося в результате определенных изменений в клеточном метаболизме, не приводит к сколько-нибудь заметным сдвигам в концентрации ионов Н+ в крови. Такой же механизм действия и другой буферной системы крови — фосфатной, роль кислоты в которой играет однозамещенный фосфат натрия NaH2PO4, а роль соли — двузамещенный фосфат натрия Na2HPO4. Общим ионом в этой системе является ион. Так как фосфатов в крови меньше, чем бикарбонатов, емкость фосфатной буферной системы ниже, чем бикарбонатной. К буферным системам крови относятся также белки, особенно гемоглобин, которые являются самой мощной буферной системой организма. При насыщении кислородом гемоглобин становится более сильной кислотой после того, как его кислотные группы, диссоциируя, отдадут в кровь ионы Н+, гемоглобин, став более слабой кислотой, начинает связывать ионы Н+. Эритроциты в капиллярах отдают кислород и принимают углекислоту, образовавшуюся в тканях. Под действием фермента карбоангидразы эритроцита углекислота СО2 взаимодействует с водой Н2О с образованием угольной кислоты Н2СО3. Возникающий за счет диссоциации угольной кислоты избыток ионов Н+ связывается гемоглобином, отдавшим кислород, а ионы выходят из эритроцитов в плазму крови. В результате этого в плазме крови повышается концентрация бикарбонатных ионов, т.е. буферная система эритроцитов тесно связана с бикарбонатной буферной системой крови. В обмен на ионы бикарбоната в эритроцит поступают ионы хлора (Cl), для которых мембрана эритроцита проницаема, а ионы Na+ (вторая составляющая NaCI) остаются в плазме крови. При прохождении крови через легкие ее буферные системы разгружаются от кислых эквивалентов за счет выделения углекислоты, и буферные резервы крови восстанавливаются в прежнем объеме (чтобы восстановить К.-щ. р., буферным системам крови нужно всего 30 с). Легкие обладают значительным влиянием на К.-щ. р., однако их эффект сказывается по прошествии большего промежутка времени, чем эффект буферных систем крови. Для того, чтобы ликвидировать сдвиг рН крови вправо или влево от нормальной величины, легким требуется примерно 1—3 мин. Однако, увеличивая количество выделяющейся в окружающую среду углекислоты, легкие быстро ликвидируют угрозу ацидоза. Почки обладают способностью уменьшать или увеличивать концентрацию бикарбонатов в крови при изменении концентрации водородных ионов. Процесс этот происходит медленно, для полного восстановления К.-щ. р. почкам требуется 10—20 ч. Основным механизмом поддержания К.-щ. р. при участии почек является процесс реабсорбции ионов Na+ и секреции ионов Н+ в почечных канальцах. Взамен ионов Na+, избирательно всасывающихся клетками почечных канальцев, в просвет канальца выделяются ионы водорода. В клетках канальцев из Н2СО3 образуется бикарбонат, за счет которого повышается его концентрация в крови. Другим химическим процессом, в результате которого происходит задержка ионов Na+ в организме и выведение излишка ионов Н+, является превращение бикарбонатов в угольную кислоту в просвете почечных канальцев. В клетках канальцев при взаимодействии воды с углекислотой, катализируемой карбоангидразой, образуется угольная кислота; ионы Н+, освобождающиеся при ее диссоциации, выделяются в просвет канальца и соединяются там с анионами бикарбоната, а соответствующий этим анионам ион Na+ поступает в клетки почечных канальцев. Угольная кислота, образовавшаяся в просвете канальцев из ионов Н+ и бикарбоната, распадается на СО2 и Н2О и в таком виде выводится из организма. Еще одним механизмом, способствующим сбережению натрия в организме, выведению и нейтрализации кислых эквивалентов, является образование в почках аммиака. Свободный аммиак, появившийся в результате окислительного дезаминирования аминокислот (прежде всего глутаминовой кислоты), проникает в просветы почечных канальцев, соединяется с ионом Н+ и превращается в плохо диффундирующий через клеточную мембрану ион аммония (ион NH4), не способный вновь вернуться в клетки эпителия почечных канальцев. Экскреции аммония способствуют ферменты глутаминаза и карбоангидраза. Соотношение между концентрацией ионов Н+ в моче и крови в среднем составляет 800:1, что иллюстрирует способность почек выводить из организма ионы Н+. Обычно рН мочи находится в пределах 5,5—7,5. Скорость секреции ионов Н+, обмениваемых на натрий, зависит от концентрации углекислоты во внеклеточной жидкости. Т.о., в почечных канальцах тесно переплетаются механизмы водно-солевого обмена и поддержания К.-щ. р., а уменьшение концентрации ионов Н+ в крови может ограничить реабсорбцию Na+ в почечных канальцах.
4.5. Буферные системы крови. Буферные свойства белков крови обусловлены способностью аминокислот ионизироваться. Конечные карбокси- и аминогруппы белковых цепей играют в этом отношении незначительную роль, так как таких групп мало. Значительно больший вклад в создание буферной емкости белковой системы вносят боковые группы, способные ионизироваться, особенно имидазольное кольцо гистидина. К буферным белкам крови относятся как белки плазмы (в особенности альбумин), так и содержащийся в эритроцитах гемоглобин. На долю последнего приходится большая часть буферной емкости белковой системы, что связано как со значительной концентрацией его в крови, так и с относительно высоким содержанием в нем гистидина. Особое значение гемоглобинового буфера заключается в том, что кислотность гемоглобина зависит от его степени окисления. При нормальных пределах рН оксигемоглобин является более сильной кислотой, чем дезоксигемоглобин. Это обусловлено влиянием кислорода, связанного с железом, на сродство ближайших имидазольных групп гистидина к ионам водорода. Благодаря этому гемоглобин, освобождаясь в тканях от кислорода, приобретает большую способность к связыванию ионов водорода, а в венозной крови в результате выделения углекислого газа тканями, происходит накопление в крови этих ионов. При поглощении кислорода в легких происходят обратные процессы.
Нижний Новгород Составитель В.Д.Садков
УДК 621.396.6.001.2 (077)
Физические основы микро и наноэлектроники. Пособие для студентов, обучающихся по направлению 210200 - «Конструирование и технология электронных средств» дневной формы обучения/ НГТУ; Н.Новгород, 2012, - 97 с. .
Учебное пособие посвящено физическим основам полупроводников, контактным явлениям между полупроводниками различной проводимости и между полупроводником и металлом. Рассматриваются принципы работы, характеристики и параметры полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов различной структуры.
Редактор Э.Б.Абросимова
Научный редактор С.М. Никулин
Подписано в печать 27.03.2012.Формат 60 x 84 1/16.Бумага газетная. Печать офсетная. Усл. печ. л. 1,5. Уч.- изд. л. 1,4. Тираж 100 экз. Заказ Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева. Типография НГТУ. 603950, Нижний Новгород, ул. Минина, 24.
© Нижегородский государственный технический университет им Р.Е. Алексеева, 2012.
Введение……………………………………………………… 1 Основы теории электропроводности полупроводников....... 1.1 Общие сведения о полупроводниках.................................... 1.1.1 Полупроводники с собственной проводимостью.............. 1.1.2 Полупроводники с электронной проводимостью............. 1.1.3 Полупроводники с дырочной проводимостью.................. 1.2 Токи в полупроводниках.................................................... 1.2.1 Дрейфовый ток................................................................... 1.2.2 Диффузионный ток........................................................... 1.3 Контактные явления........................................................... 1.3.1 Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия 1.3.2 Прямое включение p-n перехода...................................... 1.3.3 Обратное включение p-n перехода................................. 1.3.4 Теоретическая характеристика p-n перехода........................... 1.3.5 Реальная характеристика p-n перехода............................ 1.3.6 Ёмкости p-n перехода...................................................... 1.4 Разновидности p-n переходов.......................................... 1.4.1 Гетеропереходы........................................................... 1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа проводимости 1.4.3 Контакт металла с полупроводником.......................................... 1.4.4 Омические контакты................................................................... 1.4.5 Явления на поверхности полупроводника.............................. 2 Полупроводниковые диоды..................................................... 2.1 Классификация....................................................................... 2.2 Выпрямительные диоды....................................................... 2.3 Стабилитроны и стабисторы................................................. 2.4 Универсальные и импульсные диоды................................... 2.5 Варикапы.............................................................................. 3 Биполярные транзисторы........................................................... 3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы..... 3.1.1 Общие сведения.............................................................................. 3.1.2 Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе 3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов......... 3.2.1 Схема с общей базой............................................................... 3.2.2 Схема с общим эмиттером........................................................ 3.2.3 Влияние температуры на статические характеристики БТ..... 3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора.................. 3.4 Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора...... 3.5 Частотные свойства биполярного транзистора................................... 3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов. 3.7 Работа транзистора в усилительном режиме...................................... 3.8 Особенности работы транзистора в импульсном режиме.................. 3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды 3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения................................. 3.8.3 Переходные процессы при переключении транзистора.............. 4 Полевые транзисторы.............................................................. 4.1 Полевой транзистор с p-n переходом........................................ 4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-ранзистор)... Литература..............................................................................................
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 369; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |