Смещение фиксированным напряжением база—эмиттер

Схемы смещения с фиксированным напряжением база—эмиттер приведены на рис. 6-4:

рис.6-4

Необходимое напряжение смещения обеспечивается делителем в цепи базы.

,

где I_д – ток делителя:

.

Так как

,

то

.

То есть, чем больше I_д, тем меньше зависит от параметров транзистора: при

,

то есть смещение фиксировано, и зависит только от E.

Достоинство схем — простота и экономичность. Однако применение ограничено из-за нестабильности режимов транзистора во времени.

Причины нестабильности:

- изменение температуры и разброс параметров приводит к изменениям и . При этом напряжение на делителе будет изменяться. Для уменьшения этого влияния нужно, чтобы выполнялось условие . Но для роста I_д нужно уменьшать и , что ведет к росту P_расс на них и уменьшению каскада. При R_б стремящемся к нулю, дестабилизирующие факторы и практически не изменяют режима. Для данной схемы влияние температуры можно учесть через параметр , который учитывает сдвиг характеристики прямой передачи , который происходит примерно со скоростью 2,2·10^—3В на 1 градус (рис.5-5). При этом:

,

где добавки — технологический разброс.

Рис.4-5

Тогда , а с учетом конечного значения R_б:

где

6.1.3.Установка рабочей точки фиксацией тока эмиттера

Установка рабочей точки фиксацией тока эмиттера показана на рис.6-7:

рис.6-7

Еп2 – источник, используемый специально для установки рабочей точки; Rэ = Eп2 / Iэ; R >> rэ (дифференциального сопротивления эмиттера) Все современные Hi-Fi усилители строятся по такой схеме.

Дата добавления: 2014-01-07