Фотодиоды

фотодиод светодиод

Фотодиод – работает в режиме фотопреобразователя – Iобр зависит от интенсивности падающего светового потока (обратное включение)

Светодиод – при прямом включении в процессе инжекции происходит оптическое излучение, цвет которого зависит от характера примеси. Жёлтый, красный, зелёный.

ЛЕКЦИЯ №3

2.1.2 Транзисторы

Транзисторы – полупроводниковые приборы, которые могут быть использованы, как устройства, обеспечивающие усиление мощности электрического сигнала за счет энергии внешнего источника, принцип работы которых основан на физ. процессах, происходящих в одном или двух p-n переходах.

Различают следующие виды транзисторов:

1) биполярные (в процессах образов. токов участвуют носители зарядов обоих знаков – электроны и дырки)

2) униполярные (полевые) - в процессе образования токов участвуют носители заряда одного знака - электроны или дырки.

2.1.2.1 Униполярные (полевые) транзисторы

Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает электрический ток под воздействием электрического поля.

По способу создания делятся на:

1) полевые транзисторы с управляющим p-n переходом;

2) МДП транзисторы с изолированным затвором:

а) со встроенным каналом;

б) с индивидуальным каналом.

Интерес к ним вызван их преимуществами по сравнению с биполярными транзисторами:

1) высокая технологичность;

2) хорошая воспроизводимость требуемых параметров;

3) малая стоимость;

4) высокое входное сопротивление.

2.1.2.2 Полевые транзисторыс управляющим p-n переходом

Схемное обозначение транзистора с управляющим p-n переходом.

Канал – полупроводник n-типа с относительно малым количеством донорской примеси.

Затвор – кольцевой слой полупроводника p-типа с высоким содержанием акцепторной примеси.

Электрод, от которого начинают движение носители заряда называется исток, электрод, к которому они движутся – сток.

По каналу, под действием продольного внешнего электрического поля, созданного U_си движутся электроны от истока к стоку.

  носителей,чем n слой,изменение ширины p-n перехода происходит в основном за счет ширины канала (n). Измен. сечения токоведущ. канала → I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с

U_зи – обратное для p-n перехода, возникающего между затвором и каналом. При изменении U_зи, изменяется ширина p-n перехода - участка, обедненного ОНЗ, т.к. p-слой имеет большую концентрацию основных

Особенность полевого транзистора в том, что на I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с (сильнее). Эти процессы илюстрир. семейств. стокозатв. характеристик.

На входе его практ. не расходуется мощность.

Схема замещения пол. тр-ра с упр. p-n

В обл. выс. част. В обл. ниж. част.

Характеризует работу тр-ра в обл. 2 стоковой ВАХ для перемен. составл. тока и И

МДП транзистора

Полевые транзисторы с изолированным затвором в отличии от вышерассмотренных имеют затвор, изолированный от области канала слоем диэлектрика (им может быть SiO2)

Принцип действия основан на эффектах изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.

Приповерхностный слой полупроводников является токоведущим каналом этих транзисторов.

Выполн. Двух типов – со встр. индукц. кан.

МДП тр-ры со встроен. каналом

  МДП тр-р с индуц. Каналом         Значение межэлектрод. емкостей С_зн1С_си<10пф С_зс<2пф Меньше, чем у тр-ров с упр. n-p пер. Применяется широко в интегр. исполнении.    

ЛЕКЦИЯ №4

Биполярные транзисторы

Структура, схемы включения,

схемное обозначение

Биполярным транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих p-n перехода, выходной ток которого управляется изменением входного тока.

Э – эмиттер (испускающий заряды)

К – коллектор (собирающий заряды)

Б – база

Эмиттерный переход – ЭП

Коллекторный переход – КП

Различают три схемы включения биполярного транзистора:

а) с общей базой

б) с общим эмиттером

в) с общим коллектором

а) Самая распространенная – обеспечивает усиление по U и I

б) Усиливает только по U

в) Усиливает только I

Токи транзистора связаны равенством I_э=I_Б+I_к

Устройство и принцип действия транзистора.

Основные уравнения токов транзистора

Рассмотрим принцип действия биполярного транзистора на примере схемы ОЭ

Биполярные транзисторы функционируют при следующих начальных условиях:

1) ширина базы меньше длины свободного пробега неосновных носителей заряда (ННЗ)

2) концентрация примесей в Э и К значительно больше, чем в базе (база легируется слабо)

3) на ЭП подается прямое напряжение

4) на КП подается обратное напряжение

5) U_КЭ>>U_БЭ

В данном случае непосредственно к КП источник не подключен, но, так как U_КБ=U_КЭ-U_БЭ и U_БЭ<<U_КЭ, U_КБ имеют ту же полярность, что и U_КЭ, то есть обратную к КП. На ЭП подано прямое U и электроны инжектируют из Э в Б (инжекцией дырок из Б в Э пренебрегаем ввиду их малой концентрации).

Пусть m-число электронов, инжектированных в базу. Так как ширина базы меньше длины свободного пробега носителей заряда, большинство электронов достигают КП и пересекая его, в результате экстракции попадают в К (действующее в районе КП поле является ускоряющим для ННЗ, которыми являются электроны в базе.

Пусть αm – число электронов, экстрактированных в коллектор

α- коэффициент передачи тока эмиттера α=0,9-0,99 тогда (1-α)m – число электронов, рекомбинировавших с дырками базы.

Из Э уходят электроны, создавая ток I_Э.

Из К во внешнюю цепь уходят электроны, создавая ток I_K.

Из базы во внешнюю цепь уходят электроны, освобождающиеся в процессе рекомбинации, создавая ток I_Б.

Согласно первому закону Кирхгофа:

I_Э=I_K+I_Б

m=mα+(1-α)m кроме этого необходимо учесть обратный ток коллекторного перехода I_КБО, образованный движением ННЗ через КП, совпадающий по направлению с I_К и направленный навстречу I_Б, следовательно

I_K=αI_Э+I_КБО

I_Б=(1-α)I_Э-I_КБО

I_Э=I_К+I_Б

В схеме ОЭ вход – I_Б, а для выходного управляемого I_K необходимо получить уравнение в виде I_K=f(I_Б)

I_K=αI_Э+I_КБО=α(I_K+I_Б)+I_КБО

α 1

I_K = I_Б+ I_БКО

1-α 1-α

=β – коэффициент передачи тока базы = 10÷1000

1-α

=1+β

1-α

I_K=βI_Б+(1+β)I_КБО

βI_Б- управляемая составляющая коллекторного тока, показывающая что изменение малого I_Б вызывает в β раз больше изменение I_k.

Биполярный транзистор сам по себе не усиливает мощность, а лишь регулирует отдачу мощности от источника коллекторного напряжения U_кэ.

ВАХ БТ

И_кэ = 5

I_Б=f(U_БЭ)

И_КЭ=С

Семейство входных характеристик для БТ с ОЭ.

Увеличение U_кэ смещает ВАХ в область малых токов, так как увеличивается ширина КП за счет базы, ширина базы уменьшается, вероятность рекомбинации ОНЗ в базе уменьшается. I_Б – уменьшается. Это явление называется «модуляцией ширины базы».

I_Б”’

I_Б”

I_Б’

I_Б=0

I_КБО

Семейство выходных характеристик для БТ с ОЭ.

I_Б’”>I_Б”>I_Б’

I-обл. отсечки

I_k=βI_Б+(1+β)I_КБО

при I_Б=0, I_k=(1+β)I_КБО

при I_Б=-I_КБО, I_kmin=I_КБО

транзистор заперт. U_КБ- обр

U_БЭ-обр

II – область насыщения
I_k зависит от U_кэ и практически не зависит от I_Б

U_БЭ – прямое

U_КЭ – прямое

U_КЭ<U_БЭ

III- активный, рабочий режим

I_k зависит от I_Б и не зависит от U_кэ

Незначительный рост I_k c U_кэ объясняется модуляцией базы (U_БЭ – прямое, U_кэ – обратное.)

Это основной режим при усилении сигнала, т.к. выполняется условие I_k=f(I_Б)

С увеличением температуры I_k увеличивается за счет роста I_КБО (тепловая генерация ННЗ) и β, т.к. число рекомбинаций снижается.

Дифференциальные параметры БТ

Связь между малыми изменениями входных и выходных токов и напряжением БТ определяются дифференциальными параметрами.

Изобразим БТ как активный четырехполосник.

Запишем систему уравнений, предст. собой вх. и вых. хар-ки транзист.

U_вх=f₁(I_вх,U_вых)

I_вых=f₂(I_вх, U_вых)

Продифференцируем уравнения

əf₁ əf₁

dU_вх= dI_вх+ dU_вых

əI_вх əU_вых

əf₂ əf₂

dI_вх= dI_вх+ dU_вых

əI_вх əU_вых

Перейдем от бесконечно малых к конечно малым приращениям и обознач.

əf₁ əf₁

= h₁₁ =h₁₂

əI_вх əU_вых

əf₂ əf₂

= h₂₁ = h₂₂

əI_вх əU_вых

∆U_вх=h₁₁∆I_вх+h₁₂∆U_вых

∆U_вых=h₂₁∆I_вх+h₂₂∆U_вых

Откуда получим

∆U_вх

h₁₁= при ∆U_вых=0

∆I_вых U_вых=с

∆U_вх

h₁₂= при I_вх=с

∆U_вых

∆I_вых

h₂₁= при U_вых=c

∆I_вх

∆I_вых

h₂₂= при I_вх=с

∆U_вых

h₁₁ – входное сопротивление (Ом)

h₁₂ – коэффициент внутренней обратной связи близок к 0 – не рассматриваем

h₂₁ – коэффициент передачи входного тока

h₂₂ – выходная проводимость (1/Ом)

Сх. О.Э.

∆U_БЭ

h_11э= U_кэ=с – сотни Ом

∆I_Б

∆I_k

h₂₁= U_кэ=с – 30 – 1000=β

∆I_Б

зависит от f, так как f влияет на время передвижения носителей заряда от Э и К

f_гр – частота, при которой h_21э=1

∆I_k

h₂₂= I_Б=с - 1-10 мк/м

∆U_кэ

Предельные параметры БТ

Мощность, развиваемая в выходной (коллекторной) цепи транзистора.

Р=I_kU_кэ ограничена Р_кmax – с целью предотвращения выхода из строя транзистора

U_кэ≤U_кэ max (электрический пробой КП)

I_k≤I_kmax – (перегрев КП)

Схема замещения БТ с ОЭ

Усилительный каскад на БТ с ОЭ. Динамический режим работы БТ.

По 2 закону Кирхгофа

E_к = I_к R_к + U_кэ

I_к = f (U_кэ) для R_к – ВАХ – линейная зависимость

I_к = f (U_кэ) для БТ – нелинейная.

Решим систему уравнений графически.

ВАХ R _к – линия нагрузки или динамическая характеристика постоянного тока

I_к = f (I_б) – переходная характеристика на которой удобно проводить анализ раб. I_к имеет линейный участок а б.

R_б выбирают так, чтобы раб. т. А находилась на середине линейного участка входной характеристики БТ.

- примерно середине переходной х-ки (линейный участок).

При подаче на вход U _вх I_б0 изменится в соответствии с входным током, т.е., кроме I_б0 будет иметь переменную составляющую I_б, одновременно будет изменяться i_э и i_к .

График i_к строится с помощью переходной характеристики I_к = f (I_б), перенеся значение i_б на линию нагрузки, можно проследить за изменением напряжения U_к переменная составляющая которого численно равна и противоположна по фазе переменной составляющей падения U на R_к

U_вых = - R_к i_к

U_вх = R_вх i_вх

Т.к. i_к >> i_б, а R_к > R_вх

U_вых >> U_вх

Если изменения U_вх и i_б и i_к укладывается в линейный участок, входной и переходной характеристик, то форма U_вых будет соответствовать форме U_вх .

При больших U_вх форма U_вых искажается. Эти искажения, вызванные нелинейностью характеристик называются нелинейными.

Для определения К_и требуется определить h – параметры

Т.к.

Считая R_б >> h₁₁

i_вх ≈ i_б

R_н >> R_к

U_вх ≈ h_{11 *} i_вх.

h_22*R_к << 1

R_к = 10³ – 10⁴ Ом

K_I = h_21э

ТИРИСТОРЫ.

Тиристор – четырёхслойный п/п прибор, который под действием сигнала управления скачком переходит из закрытого состояния в открытое и используется в качестве управляемого вентиля.

Тиристор, имеющий 2 электрода называется динистором и используется относительно редко. Тиристор с тремя электродами тринистор, применяется чаще.

Ia R₂

+ Ea

P₁

Iу ЭП1

n₁

R УЭ КП

P₂

+ n₂ ЭП2

U_упр K

Устройство и принцип действия триодного тиристора.

ВАХ тиристора

Триодный тиристор представляет собой 4 чередующиеся области с различной проводимостью, между которыми 3 p-n перехода (ЭП1, ЭП2 и КП).

Триодный тиристор имеет 3 электрода: анод, катод и управляющий электрод.

Рассмотрим работу тиристора:

- при подаче прямого U (на анод +, катод -)

ЭП1 и ЭП2 открыты, КП – закрыт

Анодный ток , I₀ – обратный ток.

α₁ и α₂ – коэффициент передачи тока ЭП1 и ЭП2, зависят от I_a

при малом I_a (1) α₁+α₂ << 1 и I_a близок к I₀.

U_a↑ → I_a↑, (α₁+α₂)↑

При приближ. U_а к пороговому значению U_вкл (α₁+α₂) → 1

I_а резко возрастает

U_а = E_а – I_а *R_а падает (2)

Физически лавинообразное наростание I_а объясняется действием в тиристоре структурной обратной связи:

Электроны, инжектируемые через ЭП2 из области n₂ в области p₂ и экстрагируемые через КП в области n₁, создают в ней неравновесный отрицательный заряд, снижающий её потенциал, что увеличивают инжекцию дырок из p₁ в n₁.

В свою очередь, дырки, экстрагируя в обл. p₂, способствуют увеличением инжекции электронов из n₂ в p₂ и т.д.

Этот лавинообразный процесс включения тиристора завершается при

I_а = I удержания

Участок (3) – все 3 p-n перехода тиристора открыты и он работает подобно выпрямительному диоду, при I_а < I удерж. тиристор отключается и для его повторного включения необходимо ↑U_а до U_а = U_вкл.

При I_упр. > 0 тиристор включается при меньшем U_вкл.

Лекция № 6

Выпрямители

В. называется устройство, предназначенное для преобразования энергии источника переменного тока в постоянный ток.

Структурная схема маломощного источника питания

Рассматр. маломощные выпрямители (с потр. Р нагр. до сотен ватт), (для питания постоянным током различных схем и устройств промышленной электроники.

При этом задачу преобразования электр. энергии ~ тока в пост. решают при помощи однорофазныхных выпрямителей, питающихсяся от однофазной цепи переменного тока.

Наиболее распространёнными источниками воричного питания являются источники, преобразующие энергию сети ~ тока частотой 50 Гц.

Выпрямители малой и средней мощности обычно бывают однофазными, большой мощности – трёхфазные.

По форме выпрямители сигнала В м.б. однополупериодными, двухполупериодными

На работу выпрямителя оказывает влияние вид нагрузки:

- активная

- активно-индуктивная

- активно-емкостная

- противо э.д.с.

выпрямители малой мощности обычно работают на активную и активноемкостную нагрузку,средней и большой мощности – на активноиндуктивную.

Нагрузки с противо э.д.с. имеют выпрямитель, когда питает двигатель постоянного тока или используется для зарядки аккумуляторов.

Схема однополупериодного однофазного выпрямителя

при работе на чисто активную нагрузку

Считаем r_2ТР ≈ 0

r_{пр Д} = 0

r_{Д обр} = ∞

Основные параметры выпрямителей.

Выпрямители

- мощность нагрузочного устройства

Umax n – амплитуда основной гармоники выпрямленого U (Umax пульсаций)

- коэффициент пульсаций U.

Мощность трансформатора - S₁, S₂ -действительные значения мощности первичной и вторичной обмоток трансформатора.

К.п.д. , где Р_тр – потери в трансформаторе

Р_Д – потери в диоде

Для однополупериодных выпрямителей

.

Преимущество - простота

Недостатки

- большой к-т пульсаций,малое выпр. U

- max i₂ имеет пост. составляющую которая вызывает подмагничивание сердечника тр-ра -↓ индуктивности обмоток тр-ра →↑ ток х.х →↓ к.п.д.В

Применяют для питания высокоомных нагруз. устр-в (электронно-лучевых трубок) допускающих большие пульсации

P ≤ 10 – 15 Вт

Осн. Элемент выпрямителя – диод для ↑ηU_{Д пр} д.б. min

Предельные электрические параметры диода

U_{обр . max}, I_{пр. max,} соотв. I_{выпр. max}

f_max – в случае ↑ f > f_max диоды теряют вентильные свойства.

В настоящее время выпуск. n/n столбы Д1004, Д1005, 1Ц, 10Ц.

- выпр. столб – группа послед. соед. диодов, помещённых в один корпус. Такие столбы выдерживают U_обр. до 15кВ.

Двухполупериодный выпрямитель мостового типа

U_{обр max} = U_2m

P = 0,67

Преимущества - U_он > U_он однополуп. В 2 раза

I_он > I_он

P <

U_{обр. max} = U_2max к каждому Д. как и в однополупериодном выпрямителе.

Выпуск. n/n выпр. блоки – мосты

один КЦ 402

два электр. не соединённых моста КЦ 403

Двухполупериодные выпрямители со средней точкой

- Сочетание 2-х однополупериодных выпрямителей, вкл. на один и тот же Р_н

Те же преимущества, что и у выпрямителей мостового типа за исключением U_{обр. max}, которое опред. U_ab

U_{обр. max} =πU_ОН =2U_2m

Недостаток – габариты, масса и стоимость трансформатора больше, но в 2 раза меньше диодов.

Сглаживающие фильтры

С.Ф. называется устройство, предназначенное для уменьшения пульсаций выпрямления напряжения.

Выпр. U является пульсирующим, в котором можно выделить постоянные и переменные составляющие.

К-т пульсаций p – однополупериодный = 1,57

однофазный – 0,67

трёхфазный выпрямитель с нейтральным выводом – 0,25

трёхфазный выпрямитель мост. типа 0,057

К-т пульс. U питания для электронных устройств не должен превышать 10^-2 - 10^-3, для выходных усилит. каскадов 10^-4- 10^-5, автогенераторов

10^-5- 10^-6.

С.Ф. ставят между выпрямителями и стабилизатором пост.U.

Основные эл-ты С.Ф.- конденсаторы, индуктивности, транзисторы, сопротивления которых различны для постоянного и переменного тока.

Осн. параметр, хар-ий индуктивность С.Ф. является коэффициент сглаживания - относительный коэф. пульс. на входе и выходе.

Кроме того фильтры должны иметь min падение пост. U на эл-ах,min габариты, массу и стоимость.

В зависимости от типа фильтрующего элемента различают

- емкостные

- индуктивные

- электронные фильтры.

По количеству звеньев – однозвенные и многозвенные.

Емкостные фильтры

- Однозвенные

при τ ≥ 10T →

p ≤ 10^-2

Целесообразно применять с высокоом. R_н при P_н не более нескольких десятков ватт.

Индуктивные фильтры

Состоит из дросселя _ф , включённым последовательно с нагрузкой.

- однозвенный фильтр

τ₂ > τ₁

- ток нагрузочного резистора получ. сглаженным

Вследствие того, что ток в цепи с дросселем во время переходного процесса, обусловленного положительной полуволной выпрямляемого U₂ зависит от пост. времени.

, длит. импульса тока ↑ с ростом τ фильтр работает эффективнее при больших L_ф и малых Rн.

Индуктивные фильтры обычно применяются в трёхфазных выпрямителях средней и большой мощности, т.е. на нагрузочные устройства с большими токами.

Недостаток – большие масса и габариты.

Г-обр. фильтры

Многозвенные

Применяются, если не выполняются предъявленные требования с помощью однозвенных фильтров.

Более сложны, но обеспечивают большее падение коэф. пульсаций.

В маломощных выпрямителях вместо L_ф включают R_ф, создаётся большее падение U от переменных составляющих выпр. U, чем на R_н.

При R_ф из соотношения

падение пост. составл. на Rф будет min.

Коэффициент сглаживания RC фильтра меньше, чем LR.

П-обр. фильтры

Многозвенные

q = q_c. q_c - произв. коэф. сглаживания составных фильтров

CRC, CαC

Электронные фильтры

Вместо катушки индуктивности включается транзистор.

- последовательный электронный фильтр

Позволяет избавиться от переходных процессов, отрицательно влияющих на работу нагрузки и самого выпрямителя, ↓ габариты, масса, стоимость.

Внешние характеристики выпрямителей

U_н = f(I_н)

Так как в реальном выпрямителе Rд пр ≠ 0

R_тр ≠ 0

Стабилизаторы U и I

Устройства, автоматически обеспечивающее поддержание U(I) нагрузочного устройства с заданной степенью точности.

- Изменение U промышленных сетей переменного тока от +5 до -15% в соответствии с ГОСТ.

- Изменение температуры окружающей среды.

- Колебание f тока.

Современная электронная аппаратура может нормально функционировать при нестабильности питающего U (0,1-3)% и меньше.

Так для УПТ – 10^-4

Стабилизаторы классифицируются:

1) По роду стабилизированной величины – стаб. U, стаб. I

2) По способу стабилизации – параметрические

- компенсационные.

Основной параметр – коэффициент стабилизации Кст.U., Кст I.

Внутреннее сопротивление стабилизатора Riст. позволяет опред. падение U на стабилизаторе.

- характеризует потери в стабилизаторе.P_п – потерь.

Параметрический стабилизатор U и I

Получают U_н от нескольких вольт до сотен вольт и токах от единиц мА до единиц ампер.

Если необходимо стабилизировать U < 3В применяют стабисторы (диод включается в прямом направлении).

при ↑ Uвх₁(А`)

Uст₁ ≈ Uст₂

Для ↑ Uст последов. соед. стабилитроны.

Достоинства – простота и надёжность.

Недостаток – маленькое к.п.д.< 0,3, большое R_внутр(5-20 Ом), узкий и нерегулируемый диапазон стабилизируемого U.

Параметрический стабилизатор тока

Компенсационные стабилизаторы U и I

Это система автоматического регулирования, в которой постоянство U и I обеспечивается за счёт наличия ООС с большой ст. точности. Они лишены недост. парам. стабилизаторов, но это достигается усложнением схемы. Создают на дискрет. эл-тах и в интегральном исполнении.

Структурная схема стабил. U непрерывного действия

БС - блок сравнения (параметр. стабилизатора);

У - усилитель постоянного тока;

РЭ – регулирующий элемент

Т₁

R_рег

R_б R_н ↑U_вых

↑Uвх

U_оп

Д

Схема компенсац. стаб. U на онерационном усилителе.

БС – Д, R_б , R_рег. – параметр. стат. U

РЭ – транзистор Т₁

Происходит непрерывное сравнение U_н с U опорным, создаваемым параметр. стабилизат. при ↑U_вх → U_н ↑, часть U_н с R_рег. сравнивается с, U_оп. снимаемым с парам. стабилизатором так как U_оп. = const, U_вых. ОУ ↓ → U_кБТ₁↓→ R Т₁ ↑→U Т₁ ↑→ U_н ↓

Промышленностью выпускается в интегральном исполнении -компенсационные стабилизаторы непрерывного действия серии К142

К275 - Uст. 1- 24 В

К181 - Uст. -3 – 15В.

Лекция №7

Усилители КПУ

Усилители - это устройства, предназначенные для повышения параметров электрического сигнала (U,I,P). Наиболее распространены на полупроводниковых элементах (биполярных и униполярных транзисторах) в виде ИМС.

Классифицируются по:

1. характеру усиливания сигнала: аналоговые, дискретные;

2. типу усиливающих элементов: транзисторы, усиливающие лампы;

3. назначению;

4. количеству каскадов;

5. роду электропитания;

6. диапазону частот входных сигналов:

а) УНЧ -20Гц -20кГц;

б) УВЧ 10кГц –10 и 100мГц;

в) избирательные – работают с сигналом в узкой полосе f;

г) широкополосные;

д) УПТ -0 – 10кГц.

Блок схема включения усилителя

Основные требования, предъявляемые к усилителям:

Должен обеспечивать усиление по амплитуде I,U,P без искажений (амплитудные соотношения всех гармонических составляющих и частотный спектр сигнала должны оставаться постоянными)

Основные технические показатели I (КПУ)

Важные технические показатели усилителя:

- входные и выходные данные;

- коэффициент усиления;

- КПД;

- полоса пропускания;

- динамический диапазон усилителя;

- чувствительность;

- уровень собственных помех;

- показат., характер искажения входного сигнала.

Дата добавления: 2014-01-07