Иллюстрации к лекции 16

Интенсификация процессов очистки.

Промывание пластин и подложек.

Травление.

Обезжиривание.

Способы жидкостной обработки пластин и подложек.

К способам жидкостной обработки поверхности пластин и подложек относят физическое и химическое обезжиривание, химическое и электрохимическое травление, промывание в воде.

Физическое обезжиривание основано на отрыве молекул жира от поверхности при ее взаимодействии с органическими растворителями. Отрыв вызывается собственными колебаниями молекул жира и притяжением их молекулами растворителя.

В качестве растворителей наиболее часто применяют четыреххлористый углерод, бензол, толуол, изопропиловый спирт, фреон и др., в которых эффективно растворяется большинство жировых загрязнений.

Процесс травления пластин и подложек состоит в растворении их поверхности при взаимодействии с соответствующими химическими реагентами (щелочами, кислотами, их смесями и солями). В результате удаляются приповерхностный слой и имеющиеся на поверхности загрязнения. Различают химическое и электрохимическое травление полупроводников.

На различных этапах изготовления ИМС производят неоднократно промывание пластин и подложек. Для промывания применяют дистиллированную, бидистиллированную и деионизованную воду. Промывание обязательно производится после обезжиривания и травления. Его назначение - удаление остатков загрязнений, продуктов реакции и остатков реагентов.

Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов используют различные способы их интенсификации, которые достигаются применением физических, химических и комбинированных средств.

К физическим средствам относятся нагрев, кипячение, вибрация, обработка струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическая обработка, центрифугирование, ультразвуковая обработка, плазма.

К химическим средствам относятся поверхностно-активные вещества, комплексообразователи, катализаторы. Комбинированные средства основаны на использовании физических и химических средств.

Принцип легирования ионной имплантацией с применением масок из SiO₂

Недостатком процесса ионной имплантации является то, что при постоянной энергии ионов невозможно получить глубоко залегающий переход с одновременным присутствием примеси на поверхности.

Формирование глубоких профилей: а - ступенчатый процесс; б - комбинирование имплантационной загонки с диффузионной разгонкой.

Зависимость плотности ниобиевых конденсатов от энергии ионов, полученных методом АИР. Степень ионизации γ=0.1, температура 300 К, r₀- плотность массивного ниобия.

Изменение пленки по глубине при атомно-ионном осаждении.

Пунктиром для сравнения нанесены данные изменения плотности по глубине термически осажденной пленки при t=26tmono и t=36tmono

Изменение величины <(Zs-<Zs>)²>, характеризующей шероховатость поверхности со временем осаждения. После термического осаждения пленки (отмечено на рисунке треугольными маркерами) осуществлялось атомно-ионное осаждение. Единица время t_mono соответствует полному заполнению одного монослоя кристаллита

Дата добавления: 2014-01-07