Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Транзистор




 

 
 

Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, способный работать в ключевом или усилительном режимах. В отличии от диода, транзистор имеет два p-n-перехода, между которыми располагается полупроводник, например, p-типа, а по обе стороны от p-n-переходов – кристаллы полупроводника n-типа. Такие транзисторы называются транзисторами n-p-n типа (рис. 6. а.). Если между p-n-переходами располагается полупроводник n-типа, а по обе стороны от p-n- переходов – полупроводники p-типа, то такой транзистор называют транзистором p-n-p типа (рис. 6. б.). Центральная область транзистора называется базой, а крайние области – эмиттером и коллектором. В функции эмиттера входит вводить (эмитировать) в базу дырки (в транзисторе p-n-p типа) или электроны (в транзисторе n-p-n типа), а функции коллектора – собирать эти заряды. Графическое обозначение транзисторов разной структуры показано на рисунке 7.

Легко заметить, что такая комбинация полупроводников напоминает два диода с общим анодом (n-p-n) или катодом (p-n-p). Такая аналогия вполне справедлива и на практике позволяет легко тестировать транзистор на предмет его работоспособности при помощи обычного омметра.

Рассмотрим в общих чертах работу транзистора p-n-p типа. Пусть сначала цепь эмиттер-база разомкнута, а между коллектором и базой приложено обратное напряжение порядка десяти вольт. В этом случае p-n-переход окажется запертым, и в коллекторной цепи будет протекать обратный ток незначительной величины, являющийся важной характеристикой транзистора.

Теперь между эмиттером и базой приложим прямое напряжение порядка единиц вольт. Поскольку эмиттер содержит значительно больше атомов примеси, чем база, то концентрация дырок в эмиттере больше, чем в базе. Так как напряжение приложено к p-n-переходу в прямом направлении, то в цепи эмиттер-база протекает ток значительной величины даже при небольшом значении приложенного напряжения. В базе некоторая часть дырок рекомбинирует со свободными электронами, убыль которых пополняется новыми электронами, поступающими из внешней цепи, образуя в ней ток базы . В базе вследствие диффузии большая часть дырок доходит до коллекторного перехода и под действием электрического поля источника проникает через p-n-переход в коллектор. В результате в

 
 

цепи база-коллектор возникает ток того же порядка, что и на участке эмиттер-база. Отношение приращения коллекторного тока к соответствующей величине приращения эмиттерного тока при постоянном напряжении на коллекторе называется коэффициентом передачи тока:

(при )

и является одной из важнейших характеристик любого транзистора.

Из сказанного следует, что коэффициент передачи тока всегда меньше единицы и принимает значение порядка 0,9-0,99.

Принцип действия транзистора n-p-n- типа полностью аналогичен рассмотренному. В транзисторе n-p-n типа под действием напряжения между эмиттером и базой эмитируются электроны из области n в область p. Полярность источников и в этом случае должна быть обратной по сравнению с той, которая имела место при рассмотрении принципа действия транзистора p-n-p типа.

Как было сказано выше, транзистор может быть использован в качестве усилителя напряжения, тока или мощности. При этом усиливаемый сигнал подаётся на два электрода транзистора (вход), а усиленный сигнал снимается тоже с двух электродов (выход). Таким образом, один электрод является общим для входной и выходной цепей. В зависимости от того, какой из электродов является общим, различают три схемы включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ).

При включении транзистора по схеме ОЭ (рис. 8. а.) напряжение питания прикладывается между эмиттером и коллектором, в цепь которого включается сопротивление , служащее нагрузкой усилителя. Усиливаемый сигнал прикладывается между заземлённым эмиттеров и базой через конденсатор связи , препятствующий проникновению на базу транзистора постоянной составляющей усиливаемого сигнала. Усиленный сигнал снимается с эмиттера и коллектора транзистора. Схема ОЭ позволяет достигать 10-200-кратного усиления сигнала по напряжению и 20-100-кратного усиления по току (зависит от усилительных свойств транзистора).

Существенным недостатком такого включения транзистора является его малое входное сопротивление (всего 500-1000 Ом), что значительно затрудняет согласование каскадов, собранных по схеме ОЭ. Объясняется это тем, что эмиттерный переход в этом случае оказывается включённым в прямом направлении, в результате чего сопротивление перехода, зависящее от величины прикладываемого напряжения, очень мало. Выходное же сопротивление схемы ОЭ велико (2-20 кОм) и зависит не только от усилительных свойств транзистора, но и от сопротивления нагрузки .

При включении транзистора по схеме ОК (рис. 8. б.) усиливаемый сигнал прикладывается между базой и эмиттером через резистор , выполняющий функции нагрузки транзистора. Именно с него и снимается усиленный сигнал. Такая схема включения транзистора даёт усиление по напряжению

 
 

меньше единицы, а по току коэффициент усиления может достигать той же величины, что и при включении по схеме ОЭ. Поскольку транзистор в этом случае не даёт усиления по напряжению, а только как бы повторяет его на выходе (эмиттере), транзистор, включаемый по схеме ОК, также называют эмиттерным повторителем. Важным достоинством такой схемы включения транзистора является большая величина его входного сопротивления (10-500 кОм), что хорошо согласуется с высоким выходным сопротивлением схемы ОЭ.

Чтобы разобраться в причинах, по которым транзистор, включаемый по схеме ОК, не усиливает напряжения, вновь обратимся к рисунку 8. б. Резистор , показанный пунктиром (в состав схемы ОК он не входит) представляет собой эквивалент внутреннего сопротивления источника усиливаемого сигнала (например, микрофона). Через это сопротивление усиленный сигнал с нагрузки через сопротивление подаётся на базу в противофазе. В результате между эмиттерной и базовой цепями возникает сильная отрицательная обратная связь, сводящая усиление каскада по напряжению на нет.

При включении транзистора по схеме ОБ (рис. 8. в.) база через конденсатор соединена с эмиттерной цепью, то есть с общим, заземлённым проводом. Усиливаемы сигнал через конденсатор связи подаётся одновременно и на базу и на эмиттер транзистора, а усиленный сигнал снимается с коллектора и заземлённой базы, которая, таким образом, служит общим электродом входной и выходной цепей каскада. Схема ОК даёт усиление по току меньше единицы, а по напряжению примерно такое же, как и при включении транзистора по схеме ОЭ (10-200 раз). Поскольку входное сопротивление схемы ОК очень невелико (30-100 Ом), её обычно используют в генераторах электрических колебаний, в аппаратуре радиоуправления моделями и пр..

Оптимальный режим работы транзистора, включённого в ту или иную цепь, во многом определяется его, так называемыми, входными и выходными статическими характеристиками. Входной характеристикой транзистора называется функциональная зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером при фиксированном напряжении между коллектором и эмиттером :

.

Графически эта зависимость для транзистора p-n-p типа, включённого по схеме ОЭ, показана на рисунке 9. При малых значениях между базой и эмиттером ток базы растёт медленно, но по мере возрастания напряжения крутизна кривой увеличивается и характеристика выходит на линейный участок. Как видно из рисунка, угол наклона линейных участков характеристики зависит от величины выходного напряжения .

Выходная характеристика транзистора представляет собой функциональную зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при фиксированной величине тока базы :

.

Графически выходные характеристики для транзистора p-n-p типа, включённого по схеме ОЭ, представлены на рисунке 9.

 

Лекция16 Применение операционных усилителей

 
 

На этой лекции мы рассмотрим аспекты применения разнообразных усилителей. Но главным образом мы будем рассматривать применение ОУ, так как именно они чаще всего используются в современной электронике. Начнём именно с них.

Обозначаются операционные усилители так же, как и обычные усилители – треугольником, но у ОУ два входа, и один с инверсией:

 

Обычно слева два входа, которые различаются наличием или отсутствием кружочка, обозначающего инверсию (иногда внутри треугольника вместо кружочка пишут + и – соответственно у неинвертирующего и инвертирующего входов). Справа обычно обозначается выход ОУ. Иногда на схемах больше ничего нет, но на самом деле есть ещё и питание (+Еп и –Еп), оно обычно обозначается сверху и снизу. Кроме того, у современных ОУ есть ещё и баланс нуля, обычно два провода снизу, и провод для подключения коррекции. Ещё может быть контакт для земли, хотя он редко бывает необходим. Обычно это всё, но может быть и что-то ещё. На реальных схемах вместо слов обычно пишут номера контактов. Как мы видим, на этой схеме всего 8 контактов, вместо 12х3=36 у 12 транзисторов, а у всех элементов порядка 50...100. В этом главное преимущество микроэлектроники, так как надёжность (интенсивность отказов) главным образом определяется именно количеством контактов.

Как же сделать схему усилителя на ОУ? Очевидно, надо подать на неинвертирующий вход сигнал, а с выхода часть сигнала подать на инвертирующий вход. Получится схема:

 

 

Так как ОУ обладает большим Кос, можно считать, что глубина

обратной связи большая, и коэффициент усиления этой схемы равен

 

Но В в данном случае равно падению напряжения на R1, которое

возникает из-за протекания тока по цепи Roc-R1:

 
 

Следовательно,

 

Это очень важная формула, она говорит, что Кос не зависит от К0 (когда глубина ООС большая), а зависит только от соотношения величин сопротивлений Rос и R1. Такой усилитель называется неинвертирующим. Если Roc=0, или выходной сигнал подаётся прямо на вход, то Кос=1. Это – повторитель сигнала. Его суть состоит в согласовании входных и выходных сопротивлений. Это последовательная связь по напряжению, значит, входное сопротивление очень велико, а выходное – очень мало.

Теперь рассмотрим инвертирующий усилитель (см. на рис.). Нам теперь трудно определить коэффициент обратной связи В. Но можно найти другой способ рассуждения. Как мы видели из предыдущей лекции, при ООС Uвх0=Uвх/F. Даже если Uвх велико, например, 10 В, Uвх0 всё равно очень мало. Пусть F=100, тогда это 0,1 В, а если F=1000, то это всего 10 мВ. Ну а при нормальных входных сигналах, которые обычно малы, например, 0,1 В, Uвх0 вообще мало, и равно 1...0,1 мВ. Обычно

       
   
 

считают, что это заземление, хотя никакого заземления нет. Говорят, что на инвертирующем входе "псевдоземля" или что это "виртуальная земля".

Причина этого заключается в том, что выходное напряжение не может превышать напряжение питания. Если выходное напряжение должно быть больше, усилитель не работает, так он находится "в зашкале". Напряжение питания обычно 10...30 В, а коэффициент усиления 1000...1000000. Другими словами входное напряжение не должно превышать напряжение 30 мкВ... 30 мВ. Мы можем это считать псевдоземлёй.

Теперь давайте рассмотрим протекание тока в точке соединения сопротивлений. Слева втекает входной ток Iвх, справа вытекает ток обратной связи Iос, и ещё возможен ток, протекающий к инвертирующему входу ОУ. Но последний очень мал. Дело в том, что входное сопротивление ОУ обычно высокое, а может быть даже очень высокое, а входное напряжение очень мало. Поэтому этот ток измеряется нано- и даже пикоамперами, и мы можем смело им пренебречь (на рис. этот ток перечёркнут).

Итак, есть только два тока: Iвх и Iос. Конечно, они должны быть равны друг другу:

Подставим их значения:

Вспомнив, что Кос=Uвых/Uвх, получим

Итак, мы получили коэффициент усиления с инверсией, что естественно, но на единицу меньше, чем у неинвертирующего усилителя на ОУ. Если Roc=R1, то Кос= -1, то-есть у нас получился инвертор.

Последний результат очень важен. То, что у нас есть псевдоземля, значительно упрощает расчёт коэффициента усиления: мы берём входной сигнал (напряжение входа) и делим его на входное сопротивление. Получаем ток, который равен току выхода. Если умножить его на сопротивление обратной связи, то получим выходное напряжение (с минусом).

Этот подход легко можно использовать при функциональных преобразованиях. Возьмём, например, вместо входного сопротивления диод:

 

Тогда входной ток определяется уравнением:

Отбрасывая второе слагаемое I0, так как это малая величина по сравнению с первым, и умножая на Roc, получаем:

Первое слагаемое – константа, а второе с точностью до постоянного множителя RocI0 является как раз экспонентой.

Теперь давайте посмотрим, что получится, если диод поставить в другое место, туда, где стоит сопротивление обратной связи:

 

Теперь выражения для токов будут:


Решив это уравнение относительно Uвых, получим:

То-есть мы получили логарифмирующий усилитель. Можно ли сделать суммирование? Да, это возможно:

 
 

Здесь входные токи равны входным напряжениям, делённым на входные сопротивления. Далее эти токи суммируются и приравниваются к выходному току, равному отношению выходного напряжения к сопротивлению обратной связи:

Умножив всё на Roc, получим:

Если все сопротивления одинаковы, формула упрощается:

Есть ещё две интересные схемы с конденсатором вместо входного сопротивления или конденсатором в цепи обратной связи:

 

 

Как известно, напряжение на конденсаторе определяется по формуле (для левой схемы):

где Q – заряд конденсатора. Если заряд конденсатора продифференцировать, то получится ток через конденсатор:

Приравнивая это току цепи обратной связи, получим формулу:

На следующих рис. представлены графики

 

 

На левом рисунке представлены зависимости от времени входного и выходного сигнала. На правом рис.

 
 

частотная зависимость для дифференцирующего усилителя.

Легко понять, что на правом рис. (выше) показан интегратор. Для него графики будут обратными:

 

Здесь слева показан эффект интегрирования входного сигнала. Справа показана частотная характеристика интегратора.

Рассмотренные нами устройства как раз и нужны для создания аналоговой вычислительной машины (АЭВМ). Предположим, нам надо решить уравнение:, мы можем смоделировать эти действия: нам нужен один дифференцирующий усилитель, один

 

 

интегрирующий усилитель, два простых усилителя с точно заданными коэффициентами усиления для моделирования умножения на постоянные коэффициенты, один сумматор. Схема такой АЭВМ представлена ниже:

Необходимо подключить точку "y" к осциллографу и наблюдать изменение сигнала. Такие АЭВМ получили распространение в 50...60 годы прошлого века. Состояли они из нескольких десятков усилителей, которые как раз и назывались "операционными", так как предназначались для операций, к ним прилагались несколько сот пассивных элементов, и всё это коммутировалось таким образом, чтобы собрать схему для решения конкретного уравнения. Точность каждого операционного усилителя лучше, чем 0,1%. Однако общая точность решения дифференциального уравнения не превышает 1...5%. В настоящее время АЭВМ надёжно ушли в прошлое. А ОУ остались!

А теперь давайте рассмотрим некоторые другие применения ОУ. Цифровую технику, где ОУ применяются широко, оставим для второй части электроники. А здесь рассмотрим резонансные усилители, активные фильтры и усилители мощности.

Рассмотрим простейший резонансный усилитель:

Здесь Свх и Свых – обычные разделительные конденсаторы, R1 и R2 – резисторы базовой цепи, Rэ и Сэ – элементы обратной связи по постоянному току (для термостабилизации) и Lконт и Сконт – элементы резонансного контура.

Это обычный каскад с ОЭ, но вместо коллекторного сопротивления стоит резонансный контур, резонансная частота которого рассчитывается по формуле:

а сопротивление на этой частоте равно бесконечности, практически определяется потерями контура. При отступлении от резонансной частоты сопротивление контура резко падает, и, следовательно, падает коэффициент усиления транзистора, см. рис.:

 

 

А Df определяется формулой:

где Qэкв – добротность контура для эквивалентной схемы.

Конечно, колебательный контур и сам по себе может осуществлять электрические колебания с частотой fp, но не бесконечно долго. Только транзистор способен усиливать эти колебания. При этом коэффициент усиления может быть большим (достигать 1000), шум в таком каскаде минимален, так как полоса частот очень узкая, температурный дрейф исключён.

ОУ в резонансных усилителях не используются. В микроэлектронике делают специальные усилители, к которым можно подключить внешние L и C, или только L. Такие усилители, а также просто транзисторные каскады используются на частотах свыше 10 кГц, так как для более низких частот требуются большие конденсаторы и индуктивности, и это не удобно.

Теперь рассмотрим фильтры. Типичные частотные характеристики представлены на рис.:

 
 

Здесь ФНЧ – фильтр нижних частот, пропускает частоты ниже некоторой; ФВЧ – фильтр верхних частот, пропускает частоты выше некоторой; ПЗФ – полосно-заграждающий фильтр, не пропускает частоты в некоторой полосе; ППФ – полосно-пропускающий фильтр.

 
 

Ниже представлены примеры реализации этих фильтров:

Первые две схемы – это просто RC цепочки. Эквивалентное сопротивление конденсатора с ростом частоты падает. Поэтому левая схема замыкает все частоты больше чем 1/2pRC, а вторая наоборот пропускает все частоты меньше чем 1/(2pRC).

Эти схемы могут быть и другими. Самое простое усложнение – это применить 2 таких ячейки, 3 и так далее. В основном это приводит к более крутому спаду или росту, и небольшому изменению предельных частот. Но увеличиваются потери из-за неидеальностей элементов. Больше 3 ячеек обычно не используется.

На следующем рис. (ПЗФ) показана схема двойного Т-образного моста. Чаще всего используют условие: R1=R2=2R3 и C1=C2=C3/2. При этом на частоте квазирезонанса fp = 1/(2pR1C1) выходное напряжение очень мало. Максимальное значение Q=4. Существенно повысить добротность можно, применив вместо резисторов катушки индуктивностей.

Далее изображён ППФ – это мост Вина. Если R1=R2 и C1=C2, то резонансная частота определяется по приведенной выше формуле для предыдущей схемы, а максимальное Uвых=Uвх/3. Мост Вина применяется широко, но есть более хорошие схемы.В частности, если резисторы заменить на индуктивности, получается гораздо более узкополосный фильтр с лучшей добротностью.

Активные фильтры имеют улучшенные характеристики, так как в них для усиления используется ОУ. Например, на следующем рис. представлена схема с Т-образным мостом и ОУ, включённым по неинвертирующей схеме:

 
 

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 560; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.