Донорный полупроводник

Донорная примесь

При введении в кристаллическую структуру 4-х валентного кремния атома пятивалентного элемента (например фосфора), четыре из пяти валентных электронов вступят в связь с четырьмя соседними атомами кремния.

Пятый электрон примесного атома будет в данном случае избыточным.

Он окажется очень слабо связанным со своим атомом.

Поэтому даже при воздействии малой дополнительной внешней энергии электрон покидает атом и становится свободным носителем заряда.

Таким образом, введение в структуру кремния атома фосфора привело к образованию в зоне проводимости свободного электрона. Причем его образование не связано с существованием дырки.

Такие примесные полупроводники называются электронными или полупроводниками n-типа.

Электропроводность электронных полупроводников определяется свободными электронами, которые здесь являются основными носителями заряда.

Дырок здесь очень мало, они образуются за счет термогенерации собственных носителей.

Дата добавления: 2014-01-07