Параметры полупроводниковых материалов

Основным параметром полупроводникового материала является подвижность носителей заряда μ. (читается мю).Подвижность электронов μ_n больше подвижности дырок μ_p

μ_n > μ_p.

Наибольшая подвижность наблюдается у электронов в арсениде галлия GaAs.

Важным параметром полупроводника является время жизни носителей τ (читается тау).

Временем жизни носителя заряда называется время от его генерации до рекомбинации.

1.2.3 Причины движения носителей заряда

Движение носителей заряда в полупроводниках обусловлено двумя физическими процессами:
диффузией и дрейфом.

Если в полупроводнике носители заряда, электроны и дырки, распределены равномерно, то их концентрацию в этом случае называют равновесной.

Если под влиянием внешних факторов нарушается равномерность концентрации, то происходит диффузия – выравнивание концентраций – возникает ток диффузии

ток диффузии

- градиенты концентраций,

- коэффициенты диффузии.

Направленное перемещение носителей заряда под действием электрического поля Е называется дрейфом.

Если имеются носители заряда и электрическое поле Е, то возникает электрический ток.

Электропроводность полупроводника отражена в уравнении непрерывности

Дата добавления: 2014-01-07