Полупроводниковые диоды. - Полупроводниковый диод – электронный прибор, имеющий два электрических вывода и содержит один или несколько

- Полупроводниковый диод –
электронный прибор, имеющий два электрических вывода и содержит один или несколько

p-n-переходов.

Большинство диодов выполнено на основе несимметричных p-n-переходов N_P >> N_n.

Э – эмиттер,С_П- емкость перехода,Б – база,r_б – объемное сопротивление базы,
R_p-n – сопротивление р-n- перехода.

• Отличие реального диода от идеального

р-n-перехода состоит в необходимости учета распределенного омического сопротивления базы r_б.

+ I_пр·r_б

Диоды подразделяются на:
- выпрямительные,
- специальные.

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока.

В специальных диодах используются различные свойства p-n-переходов:
- явление электрического пробоя,
- барьерная емкость,
- участок ВАХ с отрицательным сопротивлением и др.

2.6 Выпрямительные диоды

Возможность применения диодов в тех или иных электрических схемах определяется его вольт-амперной характеристикой – ВАХ и параметрами.

Зависимость тока, протекающего через диод, от приложенного к нему напряжения, выраженная в графической форме, называется вольт-амперной характеристикой – ВАХ.

Зависимость какого-либо свойства диода, выраженная в числовой форме, называется параметром.

Зависимость тока I _пр от приложенного напряжения U _пр, может быть получена на основании соотношения (2)

Обратная ветвь ВАХ диода строится на основании общего соотношения (1).

Выпрямительные диоды характеризуются набором статических и динамических параметров.

Статический параметр – параметр, полученный при заданных неизменных условиях.

К статическим параметрам диодов относятся:
- падение напряжения на диоде U _ПР при заданном прямом токе диода I _ПР;

- максимальный допустимый прямой ток I _ПР.ДОП;
- допустимая мощность рассеяния Р_ДОП;

При протекании по диоду прямого тока и наличии прямого напряжения на диоде U _ПР выделяется мощность Р = U∙I в виде Джоулевого тепла. Если это тепло не успевает рассеиваться с кристалла р-n-перехода,
то он начинает перегреваться.

Мощность Р _ДОП = I _ПРдоп• U _ПР ограничена допустимой температурой кристалла и условиями охлаждения.

- обратный ток диода I ₀;
- обратное допустимое напряжение U _{ОБР.ДОП};

- напряжение пробоя U _ПРОБ.

- сопротивление диода постоянному току в заданной точке.

R _ОБР = U _ОБР/ I _ОБР - сопротивление диода при обратном включении

ΔI_пр = (I_{пр2 -}I_пр1 )

Дата добавления: 2014-01-07