Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Тема 4. Полевые транзисторы





Литература

1. Миловзоров О.В., Электроника: Учебник для вузов.

/О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. М.: Высшая школа, 2004.

Идея работы полевого транзистора была высказана в 1930 г.

В 1952 г. принцип работы удалось реализовать японскому ученому Есаки.

Полупроводниковый электропреобразовательный прибор, способный усиливать мощность электрических сигналов.

Особенность работы транзисторов состоит в том, что:

- выходной ток управляется с помощью электрического поля,

- в процессе протекания электрического тока участвуют только основные носители.

Электрическое поле является управляющим,

выходной ток является управляемым.

В англоязычной литературе эти транзисторы называют транзисторами типа FET (Field Effect Transistor).

 

 

 

В зависимости от того, как изолирован управляющий электрод от управляемого токопроводящего канала различают транзисторы:

- с управляющим p-n-переходом,

- с изоляцией диэлектриком - МДП-транзисторы.

Если в качестве изолятора используется двуокись кремния SiO2, то транзистор называют МОП-структурой (металл-окисел-полупроводник).

В зависимости от конструктивного исполнения проводящего канала различают МДП транзисторы:

- встроенный канал,

- индуцированный канал.

Встроенный канал организуется при технологическом изготовлении транзистора.

Индуцированный канал образуется во время работы транзистора.

В зависимости от того, какие носители являются переносчиками тока, различают:

- n-типа (n-канальные),

- р-типа (р-канальные).





Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 203; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Рекомендуемые страницы:

Читайте также:
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2021) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление
Генерация страницы за: 0.002 сек.