Тема 4. Полевые транзисторы

Литература

1. Миловзоров О.В., Электроника: Учебник для вузов.

/О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. М.: Высшая школа, 2004.

Идея работы полевого транзистора была высказана в 1930 г.

В 1952 г. принцип работы удалось реализовать японскому ученому Есаки.

Полупроводниковый электропреобразовательный прибор, способный усиливать мощность электрических сигналов.

Особенность работы транзисторов состоит в том, что:

- выходной ток управляется с помощью электрического поля,

- в процессе протекания электрического тока участвуют только основные носители.

Электрическое поле является управляющим,

выходной ток является управляемым.

В англоязычной литературе эти транзисторы называют транзисторами типа FET (Field Effect Transistor).

В зависимости от того, как изолирован управляющий электрод от управляемого токопроводящего канала различают транзисторы:

- с управляющим p-n-переходом,

- с изоляцией диэлектриком - МДП-транзисторы.

Если в качестве изолятора используется двуокись кремния SiO₂, то транзистор называют МОП-структурой (металл-окисел-полупроводник).

В зависимости от конструктивного исполнения проводящего канала различают МДП транзисторы:

- встроенный канал,

- индуцированный канал.

Встроенный канал организуется при технологическом изготовлении транзистора.

Индуцированный канал образуется во время работы транзистора.

В зависимости от того, какие носители являются переносчиками тока, различают:

- n-типа (n-канальные),

- р-типа (р-канальные).

Дата добавления: 2014-01-07