Лабораторная работа № 9

По дисциплине: Физические основы микроэлектроники

На тему: «Исследование полевого транзистора с ОИ в статистическом режиме»

Выполнил: Бережной Сергей Александрович

Группа: МТР-21

Проверил: Сукиязов Александр Гургенович

2013 г.

Цель работы: в режиме имитационного макетирования в среде */огкВеп1;сЬ провести исследование:

- выходных характеристик полевого транзистора,

- работу полевого транзистора в нагрузочном режиме.

Приборы и принадлежности:

- Компьютер с программным обеспечением

- Элементы схемы

- Приборы из базы программы

Краткая теория:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

В полевых тран­зисторах, управление потоком основных носителей заряда осуществляется в области полупроводника, назы­ваемой каналом, путем изменения его поперечного сечения с помощью электрического поля. Полевой транзистор имеет следующие три электрода: исток, из которого они вытекают в канал, сток, в который ос­новные носители втекают из канала, и затвор, предназначенный для регулирования тока путем изменения поперечного сечения канала.

Преимуществом полевых транзисторов является также и то, что ассортимент полупроводниковых материалов для их изготовления значительно шире (так как они работают только с основными носителями заряда), благодаря чему возможно создание, например, температуростойких приборов. Большое значение также имеют низкий уровень шумов и высокое входное сопротивление этих транзисторов.

Существует несколько разновидностей полевых транзисторов, различающихся физической структурой и способом управления проводимостью канала, которые в ряде устройств работают более эффективно, чем биполярны.

В принципе канал может иметь электропроводимость, как p-типа, так и n-типа; поскольку m_n > m_p выгоднее применять n-канал. Затвор выполняют в виде полупроводниковой области p⁺-типа. Во входную цепь между затвором и каналом включен источник обратного смещения U_ЗИ. Выходная цепь состоит из источника постоянного напряжения U_СИ плюсом подсоединенного к стоку. Исток является общей точкой схемы. Контакты истока и стока невыпрямляющие.

Полевой транзистор работает следующим образом. При отсутствии напряжения на входе основные носители заряда - электроны под действием ускоряющего электрического поля в канале (E = 10⁵Q10⁴ В/см) дрейфуют в направлении от истока к стоку, в то время как p-n переход для них заперт. Ток I_С, создаваемый этими электро­нами, определяется как напряжением стока U_СИ, так и сопротивле­нием канала. Последнее зависит от поперечного сечения канала, которое ограничивается p-n переходом (заштрихованная область). Поскольку потенциал электрического поля линейно возрастает от истока к стоку вдоль кана­ла, толщина p-n перехода минимальна вблизи истока и максималь­на вблизи стока, и канал сужается вдоль p-n перехода от истока к стоку. Таким образом, наибольшим сопротивлением канал обла­дает в наиболее узкой своей части, т.е. у стока.

Если обратное напряжение U_ЗИ подаваемое к затвору увеличить, то толщина p-n перехода по всей его длине увеличится, а площадь сечения канала и, следователь­но, ток в цепи стока уменьшаются.

Указанный эффект будет тем сильнее, чем больше удельное сопротивление материала полупроводника, поэтому полевые транзисторы выполняют из высокоомного материала (с малой концентрацией примесей в канале). При обратном напряжении на затворе равном U_ЗИ0 сечение канала в определенной его части станет равным нулю и ток через канал прекратится. Такой режим называется режимом отсечки.

Ход работы:

Дата добавления: 2014-01-15