Исследование полевого транзистора в нагрузочном режиме

На рабочем поле Workbench собираем исследуемую схему.

Рисунок 2 – Схема для исследования транзистора в нагрузочном режиме.

Для каждого транзистора снимаем зависимость падения напряжения и тока от величины Uзи.

Транзистор 1:

Uзи В
Ucи В	8,951	6,698	6,538	6,462	6,412	6,374	6,344	6,319	6,297	6,278
Ic мА	349,9

Транзистор 2:

Uзи В
Ucи В	1,675	1,356	1,342	1,336	1,332	1,33	1,327	1,325	1,324	1,323
Ic мА	2,776	2,883	2,887	2,888	2,89	2,892	2,892	2,892	2,894	2,894

Для каждого транзистора снимаем семейство стоко-затворных характеристик транзистора для значения стока 15 В.

Транзистор 1:

UcиВ	Uзи В		0,25	0,5	0,75		1,25	1,5	1,75		2,25	2,5	2,75
	Ic мА	3,67	4,06	4,19	4,21	4,21	4,22	4,22	4,23	4,23	4,23	4,23	4,25	4,23

Транзистор 2:

Ucи В	Uзи В		0,25	0,5	0,75		1,25	1,5	1,75		2,25	2,5	2,75
	Ic мА	364,2	689,2

Для одного из транзисторов проверяем возможность замены стока истоком, то есть переваравчиваем вертикально транзистор в схеме.

Uзс В	Uис В		0,5		1,5		2,5
	Ic мА		307,7	326,6		329,5	330,9	332,4	335,3	341,1	346,9	352,7	358,6	364,4

Выводы: Изменяя напряжение Uси, Uзи ток стока Iс резко возрастает и через время уравнивается.

Дата добавления: 2014-01-15