Элементы памяти БИС ОЗУ, ПЗУ

Ную составляющие).

Пространственная форма вещи, ее морфология (материализация идеальной

Ном контексте (исследование ее всестороннего функционирования в реальном

Ем культурном и предметном окружении.

Его элементов, динамичность или статичность формы, применение принципов симметрии — асимметрии, контраста — нюанса и пр. Целостность, завершенность

Онных задач — таких как, например, пропорциональность, выразительный ритм

От смыслообразования — к формообразованию

Сценография жизни (совокупность возможных ситуаций) проектируемого

объекта рядом с человеком;

а аналогии между выразительными особенностями дизайн-объекта и приема­

ми повышения выразительности, разработанными в других областях искус­

ства и культуры.

Как уже говорилось относительно возможностей «проблематизирующего» под­

хода, помещение объекта проектирования в самые различные смысловые контек­

сты позволяет значительно раскрепостить творческую фантазию проектировщи­

ка и создать дизайнерский объект, обладающий достаточной новизной.

Приемы композиционного формообразования, почерпнутые дизайном прежде

всего из архитектуры, призваны сообщать объекту проектирования образную це­

лостность. Но это качество достигается не только удачным решением композици­

образу вещи придает соответствие ее формы — смыслу, который несет она в сво­

Если мы видим вещь, назначение, способ пользования которой мы себе не представля­

ем, то не способны воссоздать в своем воображении и обычное для нее предмет­

ное окружение — такая вещь не ориентирует нас в образе соответствующего ей

человеческого бытия.

Алгоритм проектного мышления дизайнера:

• сформулированная автором тема создаваемой им вещи, творческая интерпре­

тация этой темы (предварительная авторская гипотеза новой вещи);

• объективное содержание вещи, ее смысл в определенном социально-культур­

социально-культурном пространстве);

• проектная идея новой вещи (совмещение первоначальной гипотезы и приоб­

ретенных объективных знаний об этой вещи);

вещи в проекте и в материале, совмещающая в себе субъективную и объектив­

Элементы памяти статистического ОЗУ.

ЭП биполярного ОЗУ представляет собой асинхронный RS-триггер, построенный из двух логических элементов И-НЕ, выполненных на двух двухэмиттерных транзисторах.

ЭП подключен к двум разрядным линиям РЛ “0” и РЛ “1” и адресной линии АЛ. В зависимости от комбинации напряжений на этих линиях ЭП может работать в режимах хранения, записи и считывания информации.

Если, например, транзистор Т1 открыт, то низкий потенциал его коллектора подается на базу транзистора Т2 и поддерживает его закрытое состояние. Высокий потенциал коллектора закрытого Т2, в свою очередь, поддерживает открытое состояние транзистора Т1. В состоянии хранения по линии адреса АЛ поддерживается низкий потенциал.

Пусть ЭП хранит нуль 0, если Т2 закрыт, а Т1 – открыт. Тогда для записи единицы 1 необходимо одновременно подать высокие уровни в линии АЛ и РЛ “0” и низкий уровень в линию РЛ “1”. Тогда транзистор Т1 закрывается, а Т2 – открывается. Для считывания информации в адресную линию АЛ подается высокий уровень. При этом в транзисторе, находящемся в открытом состоянии, происходит перераспределение токов эмиттеров, и большая часть тока будет течь в разрядной линии РЛ “1”, если считывается 1, или в РЛ “0” – если считывается 0.

Биполярные SRAM обладают наивысшим быстродействием, однако по сравнению с SRAM, выполненными по МОП-технологиям, имеют значительно меньшую емкость и большее энергопотребление. Это объясняется тем, что МОП-транзистор занимает в несколько раз меньшую площадь на кристалле, чем биполярный, и потребляет меньший ток. Последние достижения МОП-технологий обеспечивают приближение МОП ЗУ по быстродействию к биполярным.

Наименьшим энергопотреблением отличаются ЗУ, выполненные на комплементарных МОП-транзисторах (КМОП-технология). В ЭП КМОП-типа транзисторы Т1 и Т2 имеют каналы p-типа, а транзисторы Т3 – Т6- каналы n-типа.

В результате потребляемая мощность в режиме хранения определяется токами утечки каналы n- и p-переходов. В режиме переключения требуется значительно бульшая мощность, так как при этом ток протекает через оба приоткрытых транзистора Т1, Т4 и Т2, Т5. Однако, расходуемая мощность КМОП ЗУ на порядок меньше, чем у биполярных.

Дата добавления: 2014-01-15