Лекция 1. Земля как объект оценки стоимости

Нм

Нм

Нм

Нм был достигнут к 2002-2003 годам

Уровень полупроводниковой технологии

Техпроцессы, соответствующие линейному разрешению литографического оборудования менее 100 нм

· Intel Pentium 4 (Prescott)

65 нм – достигнут к 2004 году.

· Intel Pentium 4 (Cedar Mill)

· Intel Pentium D 900

· Intel Celeron D (Cedar Mill cores)

· Intel Core 2

· AMD Athlon 64

· AMD Phenom

· STI Cell – PlayStation 3

· Microsoft Xbox 360 "Falcon"

· Microsoft Xbox 360 "Opus"

· Microsoft Xbox 360 "Jasper"

50 нм – достигнут к 2005 году.

45 нм – достигнут к 2006.

Для микроэлектронной промышленности стал революционным, так как это был первый техпроцесс, использующий технологию high-k/metal gate, для замены физически себя исчерпавших SiO2/poly-Si

· Intel Core 2 Duo

· Intel Core 2 Quad

· AMD Phenom II X2

· AMD Athlon II X2

· Fujitsu SPARC64

32 нм – достигнут к 2009-2010 годах.

На осень 2009 года компания Intel находилась на этапе перехода к этому новому техпроцессу.

· AMD Bulldozer

В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company должен начался серийный выпуск продукции по 28-нанометровой технологии.

· Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm (2 кв. 2011 года)

В мае 2011 года по технологии 28 нм фирмой Altera была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд. транзисторов.

Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM. 22-нм элементы формируются при литографии путем экспонирования маски светом длиной волны 193 нм.

Компанией Intel введение в производство 22-нанометровой технологии запланировано на вторую половину 2011 года. Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили компании IBM и AMD.

В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти SRAM, выполненую по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа FinFET, которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии high-k/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм).

Строительство завода под названием Fab42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию он будет сдан в 2013 году. По заявлению Intel, он станет самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров – Intel будет выпускать здесь продукцию по 14-нанометровой технологии на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, как ожидается, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.

Земля как объект недвижимости представляет собой земельный участок или территорию с фиксированными границами, которая облада­ет рядом полезностей для конкретных людей, например, получения дохода от использования земли, возможность про­живания и т.д.

Дата добавления: 2014-01-15