КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Характеристики и параметры транзисторов
10.2.1. Статической называется характеристика транзистора, описывающая взаимосвязь между входными и выходными токами и напряжениями, когда в выходной цепи нет нагрузки. Применяются такие статические характеристики биполярных транзисторов: а) входные; 6) выходные; в) переходные. Входная характеристика — это зависимость при постоянном напряжении на выходе (). Выходная характеристика — это зависимостьпри постоянном входном токе (). Переходная характеристика (характеристика усиления) — это зависимость при постоянном напряжении на выходе (). Входные и выходные характеристики строят эксперименально, а переходные можно построить с помощью семейства выходных характеристик. Статические характеристики биполярных транзисторов разные для каждой из схем включения транзисторов. 10.2.2. На рис. 16.19 приведены входные статические характеристики транзистора р-n-р-типа, который включен по схеме с общим эмиттером. Входная характеристика (вольт-амперная характеристика эмиттерного перехода) представляет собой обычную правую ветвь вольт-амперной характеристики диода. Процессы в одном переходе влияют на процессы в другом. Вид входной характеристики зависит от напряжения между эмиттером и коллектором. Выходная характеристика напоминает вольт-амперную характеристику диода, который включен обратно (рис. 16.20). На ток коллектора в значительной мере влияет ток базы. На рис. 16.23 приведены статические переходные характеристики транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером. 10.2.3. При расчетах схем с биполярными транзисторами применяют h-параметры транзистора. Эти параметры характеризуют свойства транзистора при малых изменениях токов и напряжений, h-параметры транзистора разные для каждой схемы включения транзистора, но в справочниках есть формулы перерасчета параметров одной схемы в другие. Для схемы с общим эмитером h-параметры, выраженные с помощью входных и выходных токов и напряжений, имеют такой вид. Параметр h11 представляет собой входное сопротивление транзистора
при UКЭ=const Параметр h12 – это коэффициент обратной связи по напряжению при Iб=const Параметр h21 – коэффициент усиления по току
при UКЭ=const Параметр h22 характеризует исходную проводимость транзистора при Iб=const
16.10.4. Существенными являются три ограничения использования транзистора. Ограничение по мощности, которая выделяется на коллекторном переходе (РКТМ) препятствует перегреву перехода. Ограничение по напряжению между коллектором и эмиттером (Uкет) обеспечивает отсутствие пробоя коллекторного перехода. Ограничение по коллекторному току (Ikm) сохраняет также работоспособность перехода. На рис. 16.24 приведена рабочая область выходных характеристик биполярных транзисторов, которая создастся ограничивающими кривыми.
Дата добавления: 2014-01-15; Просмотров: 1981; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |