Полевые транзисторы. 11.3.1. В полевых (униполярных) транзисторах электрический ток создастся движением носителей заряда только одного знака

11.3.1. В полевых (униполярных) транзисторах электрический ток создастся движением носителей заряда только одного знака. Управ­ление током осуществляется электрическим полем, которое создается входным сигналом, а не током базы. Поэтому в управляющем электро-. де (затворе) ток практически не протекает. Следовательно, полевой тран­зистор имеет очень большое входное сопротивление.

Полевые транзисторы используют в усилителях мощности и преоб­разователях электрических колебаний.

Есть два типа полевых транзисторов:

с управляющим p-n-переходом;

с изолированным затвором.

11.3..2. Транзистор с управляющим p-n-переходом представляет со­бой полупроводниковую пластину. На гранях этой пластины создан полупроводниковый слой другого типа. Транзистор имеет три электро­да: сток с, исток u и затвор з. Электрод, от которого двигаются основ­ные заряды, называется истоком. Электрод, к которому движутся за­ряды, называется стоком.

Из рис. 16.25 видно, что при снижении потенциала на затворе умень­шается сечение n-канала, т. е. увеличивается его сопротивление

(уменьшается ток стока). Затвор всегда включа­ется обратно к истоку. На рис. 16.26 при­ведены условные обозначения транзис­тора с управляющим p-n-переходом (а — с n-каналом, б— с p-каналом).

Полевые транзисторы, как и биполяр­ные, имеют три схемы включения:

с общим истоком;

с общим стоком;

с общим затвором.

Основной усилительной схемой является схема с общим истоком (рис. 16.27).

11.3..3. Выходные характеристики схемы с общим истоком называются стоковыми характеристиками (рис. 16.28). Они напоминают выходные характерис­тики биполярного транзистора.

11.3..4. В транзисторе с управляющим p-n-переходом есть диодное соединение. При положительном заряде на затворе на­блюдается обычная диодная проводи­мость. В транзисторах с изолированным затвором между материалами с различ­ными проводимостями находится пленка изолятора. Затвор действительно изолиро­ван от истока и стока и действует на ток только своим электрическим полем. Кон­структивно транзистор выполняется на полупроводниковой подложке, которая имеет проводимость, противоположную проводимости канала. Подложка обозна­чается на схемах стрелкой. Основной яв­ляется схема включения с общим истоков (рис. 16.29).

Стоковые характеристики полевого транзистора с изолированным затвором, включенного по схеме с общим истоком, напоминают выходные характеристики биполярного транзистора (рис. 16.30). Режим обеднения I характеризуется от­рицательным потенциалом на затворе, режим обогащения — положи­тельным. Положительный потенциал на затворе способствует расширению канала, уменьшает его сопротивле­ние и повышает стоковый ток.

Дата добавления: 2014-01-15