Інтегральна інжекційна логіка

Настройка времени хранения адресов просмотренных Web-страниц

Для настройки времени хранения адресов просмотренных Web-страниц в меню Сервис (Tools) выберите команду Свойства обозревателя (Internet Options) и в открывшемся диалоговом окне перейдите на вкладку Общие (General). Группа элементов управления Журнал (History) позволяет задать интервал времени, по истечении которого адреса просмотренных страниц будут удалены. Но умолчанию это время составляет двадцать дней. Чтобы изменить его, введите в соответствующее поле желаемое значение. Кнопка Очистить (Clear History) служит для удаления всех адресов из папки.

Содержание отчета и его форма

Ознакомьтесь с теоретическим обоснованием. Выполните все описанные задания, письменно оформите отчет, который должен содержать:

- тему, цель лабораторной работы;

- краткий конспект теоретического материала;

- перечень файлов, созданных в ходе выполнения работы;

- вывод.

Контрольные вопросы и защита работы

Контрольные вопросы:

- Назовите наиболее распространенные службы Интернета.

- Что такое броузер и каково его назначение?

- Дайте определение домашней страницы и расскажите, как она настраивается?

- Какой режим работы обозревателя называется автономным?

- Перечислите действия, которые необходимо выполнить, чтобы была возможность просмотреть Web-страницу в автономном режиме.

- Как и с какой целью можно отключить мультимедиа?

- Как увеличить место на диске для временного хранения страниц Интернета?

Защита лабораторной работы включает:

- выполнение работы на компьютере;

- ответы на контрольные вопросы;

- предоставление отчета.

Базова схема елементів інжекційної логіки (ІІЛ), (І²Л) будується на багатоколекторних транзисторах і наведена на рис. У приведеній схемі транзистор VT1 включений за схемою з загальною базою. Він служить генератором (джерелом) стабільного струму, який подається в базу багатоколекторного транзистора. Назва “інжекційна логіка” походить від того, що транзистор VT1 (точніше, його емітер) є інжектором зарядів, які через базу та колектор транзистора VT1 подаються в базу VT2. Крім того, на базу цього ж транзистора подається і вхідний сигнал.

Таким чином, у вказаній схемі величина колекторного струму транзистора VT2 керується як інжекцією зарядів від транзистора VT1, так і величиною вхідної напруги. Зокрема, зменшенням вхідної напруги U _ВХ до рівня логічного нуля веде до перетікання інжектованих VT1 зарядів в електричне коло попереднього аналогічного логічного елемента. Це призводить до запирання транзистора VT2, а, відповідно, до появи на його колекторах напруги високого рівня. Величина цього логічного рівня задається падінням напруги на зміщеному в прямому напрямку p-n переході база-емітер багатоколекторного транзистора VT2.

Вхідна ж напруга високого рівня забаезпечує перехід транзистора у відкритий стан насичення, що забезпечує формування на виходах сигналів низького рівня. Цей рівень вихідної напруги визначається потенціалом колектора насиченого ключового транзистора. Отже, наведене схема є логічним елементом інвертором на один вхід і два входи. При цьому час переходів елементу з одного логічного стану в інший задається величиною струму VT1, яким можна керувати, змінюючи номінал емітерного резистора.

Для прикладу на рис. наведена схема ІІЛ, в якій, поряд з операціями інверсії по виходах y ₁ та y ₂ , виконується операція АБО-НІ.

На базі І²Л ІС легко будуються тригерні схеми. Але на сьогоднішній день використання І²Л технології обмежене. Пояснюється це здебільшого значним прогресом у розвитку КМОН- та БіКМОН-технологій, які забезпечують більш хороші експлуатаційні параметри.

Базові елементи емітерно-зв’язаної логіки (ЕЗЛ)

Базовий елемент ЕЗЛ реалізується на основі перемикачів струму за схемою диференціального каскаду (рис.). Наведений базовий елемент реалізує логічну функці. 2АБО-НІ за допомогою паралельного з’єднаних транзисторів VT1 і VT4.

Вихідні емітерні повторювачі по інверсному і прямому виходах, виконані на транзисторах VT5, VT6, забезпечують формування струму навантаження з запасом, достатнім для швидкого перезаряду ємностей навантаження.

Для таких схем слід забезпечувати важливу умову: опорна напруга E ₀ має встановлюватися з високою точністю і стабілізується в широкому температурному діапазоні. У наведеній схемі ці функції виконуються колом R ₃ , VD1, VD2, R ₇. У більш точних мікросхем (наприклад, серії К1500) для цього використовуються спеціальні схеми, які забезпечують високу стабільність Е ₀ при зміні температури та напруги живлення.

Емітернo-зв’язана логіка в останні роки інтенсивно розвивається, і на її основі виготовляється декілька типів базових логічних елементів. Один з напрямків розвитку ЕЗЛ пов’язаний з переносом емітерних повторювачів з виходу диференційного каскаду на його вхід (рис.).

Перевага такого базового елемента полягає у тому, що зменшується загальна кількість резисторів і оптимально розраховуються вхідні елементи схеми. Це приводить не тільки до спрощення технології, але і до поліпшення технічних характеристик базових елементів. Такі схеми мають назву емітерно-емітерно-зв’язана логіка (ЕЕЗЛ або Е²ЗЛ).

Дата добавления: 2014-01-15