КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Польові (уніполярні) транзистори
Полоьові транзистори (ПТ) - уніполярні напівпровідникові прилади, оскільки їх робота заснована на дрейфі носіїв заряду одного знаку у повздовжньому електричному полі через канал n- або p - типу, який керується. Керування величиною струму через канал здійснюється поперечним електричним полем, а не струмом, як у біполярних транзисторах. Для виготовлення ПТ в основному використовується кремній (Si), що має значно менший зворотний струм насичення, чим германій. На рис. зображені умовні графічні позначення ПТ на схемах електричних принципових. Маркування аналогічне маркуванню біполярних транзисторів, за винятком того, що другий елемент маркування має букву П - польовий. Принцип дії ПТ заснований на тому, що зміна напруженості поперечного електричного поля змінює провідність каналу, по якому проходить струм вихідного ланцюга. У електронних пристроях застосовуються два різновиди ПТ: - із затвором у вигляді p-n переходу; - з ізольованим затвором (МДН- або МОН-транзистори). Залежно від провідності каналу польові транзистори діляться на ПТ із каналом p- або n-типу. Рис. Позначення ПТ на електричних принципових схемах: а, б – з р-n переходами; в, г, д, е – МОН-типу
Дата добавления: 2014-01-15; Просмотров: 457; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |