Польові транзистори із затвором у вигляді p-n переходу

На рис. зображені структура і схема включення ПТ із затвором у вигляді p-n переходу і каналом n-типу. Прилад складається із пластини кремнію із провідністю n-типу, що є каналом, до торців якої під‘єднанні два металеві контакти, які звуться витоком (В) і стоком (С). Між стоком і витоком підключено джерело живлення Eсв і споживач у винляді опору навантаження Rс.

Рис. Спрощена структура та схема включення канального ПТ із p-n переходом

Напруга Eсв прикладається такої полярності, щоб струм основних носіїв (у каналі n-типу – електрони) протікав від витоку до стоку. У протилежні верхню і нижню грані пластини початкового напівпровідника введені акцепторні домішки, що перетворили її поверхневі шари в області напівпровідника p-типу. Ці області з‘єднанні разом і утворюють єдиний електрод, який зветься затвором (З). Між каналом і затвором утворюються два p-n переходи. На затвор подається напруга Uзв, полярність якої співпадає із провідністю каналу (у нашому випадку відємної полярності).

Дата добавления: 2014-01-15