Потери мощности в конденсаторах

В преобразователях электрической энергии конденсаторы переменного тока являются одним из основных элементов силовых схем. Важнейшей характеристикой конденсаторов является значение активных потерь энер­гии в нем, эта характеристика определяет допустимые напряжения на кон­денсаторе от частоты (рис. 15,а).

Потери на конденсаторе при синусоидальном напряжении пропорцио­нальны тангенсу угла потерь в диэлектрике, tg δ зависит от условий рабо­ты, напряжений, температуры, частоты. Зависимость удельной реактивной мощности конденсатора от частоты приведена на рис. 15,6. Пример: К75 -10. При увеличении частоты от 1000 до 10 000 Гц tg δ увеличивается в 2 раза. Более сложная задача - оценка потерь в конденсаторе при несинусои­дальном напряжении и токе. Потери мощности в конденсаторе от каждой гармоники приложенного к нему напряжения суммируются.

P_K=Cω₁nU²_ntgδ,

где n- номер гармоничной составляющей; С - емкость конденсаторов на основной гармонике; ω - частота первой гармоники.

Электролитические конденсаторы являются основным элементом фильтров постоянного тока. Схема замещения электрического конденсато­ра на повышенной частоте приведена на рис. 16,а. Зависимость полного сопротивления конденсатора от f приведена на рис. 16,6.

Контрольные вопросы

1. Как классифицируются силовые полупроводниковые приборы?

2. В чём особенность последовательного и параллельного соединения си­ловых диодов?

3. Какие основные параметры при выборе силовых транзисторов?

4. Какие схемотехнические меры применяют для уменьшения мощности коммутации силового транзистора?

5. Каковы энергетические особенности силовых МОП-транзисторов?

6. Чем обусловлено введение дополнительных узлов принудительной коммутации тиристоров?

7. Укажите энергетические параметры силовых полупроводниковых уст­ройств?

8. Чем отличаются трансформаторы мощных преобразователей электри­ческого тока от обычных силовых?

9. Какие эксплутационные параметры являются наиболее важными для мощных вентилей?

[1,9-35; 2, 216-228]

Глава 2. Транзисторы в режиме переключения

2.1. Мощность рассеяния в нагрузке и в режиме переклю­чения

В состоянии насыщения транзистора

точка 1 (рис. 17, а):

I_к = max,U_кэ → 0,

Р_P1 - рассеивается небольшая мощность,

В состоянии отсечки транзистора точка 2: I_Н - мал, но U_кэ ≈ U_n,

Р_Р2 - рассеиваемая мощность неболь­шая,

Когда рабочая точка находится в положении 3 (рис. 17,а):

, мощность рассеяния

Дата добавления: 2014-01-15