Мощность рассеиваемая в насыщенном транзисторе

Состояние насыщения характери­зуется положительной полярностью U на обоих переходах (рис. 19,а). Со­гласно (3) получим выходную харак­теристику транзистора в области на­сыщения (рий. 20,а).

Вывод: 1) Линейность выходного сопротивления насыщенного транзи­стора упрощает энергетический расчет каскадов, работающих в режиме пере­ключения. 2) R_ВЫХ << R_Н. 3) Мощность, рассеиваемая в насыщенном транзисто­ре, пропорциональна квадрату коллек­торного тока, то есть квадрату мощно­сти, рассеиваемой в нагрузке. 4) Парал­лельное включение насыщенных тран­зисторов позволяет уменьшить рассеи­ваемую в них мощность.

Кривая ОАВ (рис. 20,а) представ­ляет собой переходную характери­стику транзистора в граничном со­стоянии при прямом включении.

Кривая ВСО (рис. 20,а) представ­ляет собой переходную характери­стику I_K = f(U_KБ) при инверсном включении (начало координат - точка В).

Определим дифференциальную крутизну переходных характери­стик ОАВ и ВСО. Реальный тран­зистор отличается от идеального (для которого были приведены вы­ражения) наличием падения напря­жения в области Б, К, Э.

Входные характеристики в об­ласти насыщения при различных I_К (рис. 20,6), I_Б резко увеличиваются при неизменном U_KБ, на ток базы в

раз сильнее влияние

Коэффициент насыщения

С увеличением q (то есть с избыточным базовым током) уменьшается U_КЭ, то есть уменьшается R_BЫХ насыщенного транзистора, поэтому умень­шается мощность, рассеиваемая в выходной цепи транзистора, но увеличивается мощность, рассеиваемая во входной цепи. При

суммарная рассеиваемая мощность становится минимальной [4].

Дата добавления: 2014-01-15