На его основе

ТРАНЗИСТОР И СХЕМЫ

Лекция 2

Особенно быстро процесс дигрессии протекает

Негативное воздействие на почвенно-растительный покров

Разработка полезных ископаемых, особенно открытым способом,

пока имеет локальный характер, но в связи с расширением сети горнодобывающих предприятий ископаемых площади неуклонно растут

Рекультивация нарушенных горнодобывающими предприятиями земель в условиях недостаточного и скудного естественного увлажнения крайне затруднена

В северной части Казахского мелкосопочника – распашка земель.

Резко усилилась ветровая эрозия – во время пыльных бурь огромные массы плодородного мелкозема переносятся на большие расстояния

Территория Казахского мелкосопочника не одно столетие использовалась в качестве пастбищ – почти всюду растительный покров претерпел некоторые изменения в результате выпаса

Освоение целинных и залежных земель сократило площадь естественных кормовых угодий в северной части степной зоны примерно в 3 раза,

а в южной – на 1/4

Одновременно значительно возросло поголовье скота – увеличились пастбищные нагрузки в степях, усилилась пастбищная дигрессия растительности и пастбищная эрозия почв

Такие же изменения характерны и для наиболее интенсивно используемых пастбищ полупустынной и пустынной зон

Характерная черта пастбищной дигрессии –

снижение массы травостоя, постепенное изреживание растительного покрова, выпадение из состава травостоя наиболее ценных кормовых культур и упрощение структуры ассоциаций

Конечная стадия пастбищной дигрессии –

полное выпадение степных видов и замена их пастбищными

однолетними сорняками, хорошо переносящими вытаптывание

на пастбищах с почвами легкого механического состава.

Поэтому на пастбищах с супесчаными и песчаными почвами не рекомендуется выпасать овец и коз, которые сильнее, чем лошади

и крупный рогатый скот, воздействуют на растительный покров

Транзистор - полупроводниковый элемент с тремя электродами, который

служит для усиления или переключения сигнала. Различают кремниевые и германиевые

транзисторы. Они бывают p-n-p- и n-p-n-типа. На рис. 2.1 и 2.2 показаны их условные обозначения.

Рис. 2.1. п-р-п-транзистор и его диодная

эквивалентная схема

Транзистор состоит из двух противоположно включенных диодов, которые

обладают одним общим n- или p-слоем. Электрод, связанный с ним, называется базой

В.

Рис. 2.2. р-п-р-транзистор и его диодная

эквивалентная схема

Два других электрода называются эмиттером Е и коллектором С. Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с условным обозначением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Хотя эта схема не характеризует полностью функции транзистора, она дает возможность представить действующие в нем обратные и прямые напряжения. Обычно переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор - в обратном. Поэтому источники напряжения должны быть включены, как показано на

рис. 2.3 и 2.4.

Основная особенность транзистора состоит в том, что коллекторный ток I_С

является кратным базовому току I_B. Их отношение В = I_С / I_B называют коэффициен-

том усиления по току. Режим транзистора подробно описывается с помощью семей-

семейства его характеристик.

Кроме того, особенностью транзистора является тот факт, что малого изменения входного напряжения оказывается достаточно для того, чтобы вызвать относительно большое изменение коллекторного тока.

Известно, что передаточная характеристика транзистора, как и диода, имеет вид экспоненциальной функции. Однако, в отличие от формулы для диода, здесь поправочный коэффициент m с большой точностью равен единице. Тогда

Часто транзистор можно рассматривать как линейный усилитель. Это

справедливо в рабочей точке, в окрестности которой осуществляется управление

малым сигналом.

Изменение коллекторного тока I_С в зависимости от U_BE характеризуется

крутизной S:

Эту величину можно рассчитать, используя выражение:

Коллекторный ток пропорционален базовому току. Коэффициент пропор-

циональности В = I_С / I_B называют коэффициентом статического усиления по току.

Однако пропорциональность имеет место только в ограниченной области тока, так

как В зависит от I_С. Дифференциальный коэффициент усиления по току в рабочей точке

определяется выражением

Рис. 2.3. Полярность включения

Дата добавления: 2014-01-20