Технология Low-k dielectric

Заставьте чип работать...

В апреле 2000 года IBM объявила о разработке фирменной технологии производства микро­схем — Low-k dielectric. Суть изобретения в том, что особый, похожий на пластик материал ис­пользуется для снижения уровня наводок (ин­терференции) между проводниками в составе кристалла, которые пагубно сказываются на производительности и энергопотреблении.

Сочетание медных проводников и техноло­гии Low-k dielectric способно повысить произ­водительность более чем на 30%, что особенно важно для высокопроизводительных Internet-серверов, сотовых телефонов и со­временного коммуникационного оборудования. Для того чтобы стимулировать разработку устройств на основе нового производственного процесса, IBM выпус­тила специализированный чип CU-11 (http://www.chips.ibm.com/products/asics/), толщина путей у которого в 900 раз тоньше человеческого волоса, а тактовая ча­стота составляет 1,8 ГГц. Девиз полупроводниковой индустрии можно сформули­ровать как «быстрее, меньше, дешевле», а микросхема CU-11 является его велико­лепным подтверждением. Технология Low-k dielectric будет применяться в микро­схемах P0WER4 следующего поколения.

11.5 SiGe: кремниево-германиевые микросхемы

Достижение высоких тактовых частот...

Через год после запуска технологии медной металли­зации, IBM объявила о разработке кремний-германия (Silicon Germanium — SiGe) — нового материала для производства микросхем, позволяющего значительно увеличить производительность и снизить энергопо­требление.

От использования нового материала особенно вы­играют персональные коммуникационные устройства (к примеру, коммуникаторы, сотовые телефоны и пейджеры), ведь SiGe позволяет существенно уменьшить размер электронной начинки аппарата, повысить ее на­дежность и расширить функциональные возможности. В 1998 году IBM стала пер­вой в мире компанией, запустившей серийное производство кремниево-германиевых чипов, (http://www.chips.ibm.com/bluelogic/showcase/sige/)

Дата добавления: 2014-01-20