В июне 2001 года IBM объявила о новой технологии, основанной на эффекте притяжения атомов различных кристаллов. При нанесении слоя кремния поверх другого материала, атомы которого разнесены шире, атомы кремния выстраиваются в линию, вытягивая кремний (разряжая его структуру). Электроны встречают меньше сопротивления на своем пути и движутся на 70% быстрее, что позволяет увеличить производительность микросхем на 35%, даже без уменьшения размера транзисторов. Технология напряженного кремния применяется в промышленном производстве с 2003 года.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление