Влияние температуры на выходные характеристики

На рис.3.16 приведены выходные характеристики транзистора в схеме включения с общим эмиттером для двух токов базы (I_б1 =- I_ко; I_б2 = 0), снятые при двух различных температурах окружающей среды, а на рис.3.17 представлены выходные характеристики при токах базы больше нуля, снятые для двух значений температуры окружающей среды.

При токе базы I_б1 = - I_ко (зависимость 1 рис.3.16) с ростом температуры неуправляемый ток коллекторного перехода возрастает по экспоненциальному закону (то есть приблизительно удваивается при увеличении температуры окружающей среды на каждые 10ْ С).

При токе базы I_б2 = 0 ток коллектора определяется сквозным током транзистора I_k=I_ko^*=(β+1)I_ко. Влияние температуры проявляется в увеличении I_ko и β.

При токах базы I_б2 > 0 (зависимость 1 рис.3.17) ток коллектора определяется уравнением I_k= βI_б + (β+1)I_ко. Выходные характеристики в схеме включения с ОЭ снимаются при фиксированных значениях тока базы . С увеличением температуры экспоненциально увеличивается ток , а также несколько увеличивается коэффициент , а, следовательно, и . Последнее обстоятельство приводит к тому, что с увеличением температуры увеличивается наклон выходных характеристик.

Для поддержания тока базы постоянным приходится существенно увеличивать ток , естественно, что при этом будет возрастать и ток коллектора

.

Рис.3.16. Влияние температуры на выходные характеристики при I_б1 и I_б2.

Рис.3.17. Влияние температуры на выходные характеристики при I_б3 и I_б4

Таким образом, выходные характеристики в схеме включения с общим эмиттером не термостабильны. Следует отметить, что транзисторы, выполненные на основе кремния, имеют меньшую зависимость характеристик от температуры, так как значение неуправляемого тока коллекторного перехода у кремниевых транзисторов во много раз меньше, чем у германиевых.

Дата добавления: 2014-01-20