Эффекты близости при литографии

Использование и проблемы оптической литографии

Основные проблемы, стоящие перед разработчиками устройств экспонирования, связаны с совмещением шаблонов последовательных уровней и производительностью оборудования.

Поставщики резистов разрабатывают системы резистов с повышенной фоточувствительностью и прочностью, способные противостоять воздействию окружающей среды при плазменном травлении, применяемом в современном технологическом процессе литографии. В научных и промышленных лабораториях создаются системы многочисленных резистов, использование которых может привести к повышению разрешения процесса оптической литографии до 0,5 мкм.

а,) б)

Рис.12. Эффекты близости при литографии

Эффекты близости проявляются как искажение получаемого на подложке изображения вследствие упругого и неупругого рассеяния электронов на подложке. Электроны, рассеянные на атомах подложки, проникают в прилежащие к лучу области резиста, производя его дополнительное экспонирование (рис. 12 а), вызывая тем самым размытие изображения.

Различают внутренние и внешние эффекты близости. Внутренние эффекты обусловлены рассеянием электронов, формирующего изображение непосредственно в данной области, а внешние - рассеянием электронов, формирующих изображение в соседних областях (рис. 12 б).

Для устранения эффекта близости используется оптическая корректировка близости, которая продемонстрирована на рис. 13.

Рис. 13. Оптическая корректировка близости.

Дата добавления: 2014-01-20