Коэффициент переноса

Это главный параметр, определяющий зависимость характеристик транзистора от частоты и режимов смещения. По определению

(4.32)

Считая, что электрическое поле в базе равно нулю можно написать

I_pК = qSD_pp|_x=w I_pЭ = qSD_pp|_x=0

Где за х = 0 принята граница база-эмиттер, а за x = w –граница база-коллектор. Таким образом, вычисление токов сводиться к определению распределения концентрации инжектированных носителей в базе и вычислению производных в точках x=0 и x=w. В результате, используя известные соотношения и считая градиент концентрации неравновесных носителей в базе линейным, можно получить выражение для коэффициента переноса в виде

(4.33)

где w – толщина базы;

L_p – диффузионная длина;

g – скорость поверхностной рекомбинации;

А – коэффициент геометрии транзистора;

τ_p – время жизни носителей;

S_Э – площадь сечения эмиттера (S_Э = Aw).

Дата добавления: 2014-01-11