Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Статические характеристики биполярного транзистора




Зависимости между токами и напря­жениями в транзисторах выражаются статическими характеристиками транзи­сторов, снятыми при постоянном токе и отсутствии нагрузки в выходной цепи. Характеристики необходимы для рас­смотрения свойств транзисторов и для практических расчетов транзисторных схем.

В транзисторах взаимно связаны всегда четыре величины: i1 i2, и1 и2 входные и выходные токи и напряжения. Одним семейством характеристик эту зависимость показать нельзя. Необходи­мо два семейства. Наиболее удобно рас­сматривать семейство входных характе­ристик вместе с семейством выходных характеристик.

Для каждой из трех схем включения транзистора существует свое семейство характеристик. Пользуясь характеристи­ками, надо обращать внимание на то, к какой схеме они относятся. Мы рас­смотрим основные характеристики для наиболее распространенной схемы — с об­щим эмиттером и с общей базой. Эти характеристики приводятся в справоч­никах.

 

Входные характеристики - определяют связь входного тока с входным напряжением при постоянном выходном напряжении.

В схеме с ОБ – это зависимость при постоянных значениях напряжения , которое является параметром семейства входных характеристик. Типичное семейство входных характеристик для маломощного n-p-n транзистора показано на рисунке 4.15.

Отрицательные значения напряжения соответствуют прямому включению эмиттерного перехода. Характеристика для =0 практически совпадает с характеристикой р-n- перехода.

В схеме ОЭ входные характеристики (рис. 4.16) – это зависимости с параметром .

 

При напряжении и оба перехода включены в прямом направлении, транзистор работает в режиме насыщения, электроны инжектируются в базу как из эмиттера, так и из коллектора. Поэтому при заданном напряжении входной ток, определяемый инжекцией дырок из базы в коллектор и эмиттер, а также рекомбинацией электронов в базе, имеет наибольшее значение. При повышении напряжения транзистор переходит в активный режим. Входной ток уменьшается, так как прекращается инжекция дырок из базы в коллектор и уменьшается ток рекомбинации из-за снижения заряда электронов в базе. При дальнейшем повышении напряжения входной ток уменьшается из-за снижения толщины базы и тока рекомбинации.

Выходные характеристики – это зависимости выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, являющимся параметром.

Для схемы ОБ семейство выходных характеристик n-p-n транзистора представлено на рис. 4.17. Здесь параметром служит ток эмиттера.

Область характеристик при соответствует активному режиму. Область характеристик при относится к режиму насыщения, где с ростом прямого напряжения коллекторного перехода экспоненциально возрастает его ток инжекции, направленный противоположно току коллектора, поэтому полный ток коллектора уменьшается и может даже изменить направление. При больших напряжениях ток резко возрастает вследствие пробоя коллекторного перехода. Для коллекторного перехода характерен лавинный пробой, что объясняется низкой концентрацией примесей в коллекторе.

Для схемы ОЭ семейство выходных характеристик n-p-n транзистора приведено на рис. 4.18. Здесь параметром является ток базы.

 

 

Пологий участок характеристик, где соответствует активному режиму. На этом участке ток коллектора заметно увеличивается с ростом напряжения . Крутые участки характеристик при малых напряжениях соответствуют режиму насыщения. При больших напряжениях наблюдается резкое увеличение тока, обусловленное пробоем.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-11; Просмотров: 10287; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.