КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Концентрация компонентов
Концентрацию компонент обычно откладывают в атомных процентах. В практическом материаловедении для удобства часто пользуются процентами по массе, но при анализе природы образующихся фаз, изучении закономерностей, определяющих предельные концентрации твердых растворов, и в других подобных случаях следует пользоваться атомными процентами. Для систем, в которых одним из компонентов является полупроводник (химический элемент или соединение), наряду с диаграммами, построенными в обычном масштабе, строят диаграммы, на которых в области, примыкающей к полупроводнику, концентрацию легирующего компонента в атомных процентах наносят в логарифмическом масштабе (рис.5.3в), либо строят отдельно часть диаграммы, примыкающую к полупроводниковому компоненту, откладывая концентрацию второго компонента в атомах на кубический сантиметр тоже в логарифмическом масштабе (рис.5.3а). Это вызвано тем, что концентрацию носителей заряда в полупроводниках измеряют в электронах (или дырках) на кубический сантиметр, и в тех случаях, когда легирующие добавки являются поставщиками носителей заряда, удобно концентрацию носителей и примесей измерять в одних единицах.
Кроме того, предельная растворимость примесей в полупроводниках, как правило, очень мала ~(0,1– 0,01) % ат. и реально используемое легирование по концентрации составляет (1014–1019) ат/см3, т.е. (106–10–1) % ат. В этих условиях важно показать на диаграммах фазовые области, в которых концентрация компонентов в области малых концентраций изменяется на порядок величины. Логарифмический масштаб позволяет это сделать, тогда, как в обычном масштабе область концентраций меньше 0,1 % сливается с осью ординат. Пересчет концентраций компонентов из одного масштаба в другой (ат.% в % по массе) осуществляют по следующим формулам:
Где Х1 % (ат.) - атомные проценты компонентов 1 и 2 Х2 % (ат.)
Х1 % (по массе) - проценты по массе компонентов 1 и 2 Х2 % (по массе) А1 - атомные массы компонентов 1 и 2 А2 Хат/см3 – (обычно пишут Хсм-3) количество атомов примеси в 1 см3 N- общее число атомов в 1 см3 N=, где n –число атомов в решетке, приходящихся на долю одной элементарной ячейки; V – объем элементарной ячейки Задача 5.2. Подсчитать количество атомов, приходящихся на долю одной элементарной ячейки в решетках Браве.
Дата добавления: 2014-01-11; Просмотров: 2131; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |