Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

Ход лекции.

План.

Слоганы туристских фирм

Название фирмы	Слоган фирмы
«Danko»	Качественно, надежно, профессионально
«Натали турc»	Ожидания оправдываются
«VКО Тгаvel»	Пора отдохнуть
«Зевс Тревел»	Качество вне конкуренции
«Консол»	Мы сделаем ваш отдых незабываемым
Центральное агентство путешествий «Centra»	Весь мир для Вас
«Vantour»	From rain to sun
«ROYAL International Ltd»	Вы уже выбрали себе место под солнцем?
«Э-Тикет»	Недешево, недорого, а очень хорошо
«Style Tour»	Отдых — это тоже стиль жизни
«Ксения Тревел»	Как прекрасен этот мир — позвони
«Концерн Соби»	Лучшее хобби — отдых с Соби
«Антур»	Испания — наша профессия
«Мир путешествий»	Поверьте, что земля круглая
Интурбюро «Ольга»	Вся Италия от Альфы до Омеги
«Cresta Tours»	Подари себе отдых
«Planet Tour»	Мир красоты, богатства и отдыха
«АSТ Tour»	Экскурсии и отдых
«Каравелла»	Мы поможем вам встретиться с мечтой
«Kim Tour»	Путешествия без границ
«Malibi Travel»	Идеальное место для отдыха
«STR Tours»	Мир вращается вокруг вас
«М-Тревел»	Все ваши мечты сбудутся на Мальте
«Радамир Travel Agency»	Вас ждут на острове Мальта
«Мир и отдых»	Жизнь прекрасна тем, что можно путешествовать
«Айрин»	Путешествие по святым местам
«Экскурсии и отдых Ben Tour International»	Для тех, кто ценит надежность
«ERKE Travel Agency»	Отдыхайте там, где вас любят

1. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим

p-n переходом.

2. Характеристики и параметры полевых транзисторов.

С   З канал п -типа   И С З канал р-типа   И

Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток создаётся только основными носителями зарядов под действием продольного электрического поля, а управляющее этим током осуществляется поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным к управляющему электроду.

Рисунок 1 – Структура и УГО ПТ с управляющим р - п переходом

Несколько определений:

· Вывод полевого транзистора, от которого истекают основные носители зарядов, называется истоком.

· Вывод полевого транзистора, к которому стекают основные носители зарядов, называется стоком.

· Вывод полевого транзистора, к которому прикладывается управляющее напряжение, создающее поперечное электрическое поле называется затвором.

Участок полупроводника, по которому движутся основные носители зарядов, между p-n переходом, называется каналом полевого транзистора. Поэтому полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с каналом p-типа или n-типа.

Принцип действия рассмотрим на примере транзистора с каналом n-типа (рис.2).

Рисунок 2 – К пояснению принципа действия ПТНа затвор всегда подаётся такое напряжение, чтобы переходы закрывались.

Напряжение между стоком и истоком создаёт продольное электрическое поле, за счёт которого через канал движутся основные носители зарядов, создавая ток стока.

ü При отсутствии напряжения на затворе p-n переходы закрыты собственным внутренним полем, ширина их минимальна, а ширина канала максимальна и ток стока будет максимальным.

ü При увеличении запирающего напряжения на затворе ширина p-n переходов увеличивается, а ширина канала и ток стока уменьшаются.

ü При достаточно больших напряжениях на затворе ширина p-n переходов может увеличиться настолько, что они сольются, ток стока станет равным нулю.

Напряжение на затворе, при котором ток стока равен нулю, называется напряжением отсечки.

Вывод: полевой транзистор представляет собой управляемый полупроводниковый прибор, так как, изменяя напряжение на затворе, можно уменьшать ток стока и поэтому принято говорить, что полевые транзисторы с управляющими p-n переходами работают только в режиме обеднения канала.

Контрольные вопросы:

1. Почему транзистор назван полевым?

2. На что влияют продольное и поперечное поля в структуре транзистора?

3. Что означает второе название полевого транзистора «униполярный»?

4. Что такое напряжение отсечки?

5. Какой режим работы является основным для транзисторов данного типа?

Литература: Б. С. Гершунский. Основы электроники и микроэлектроники.- Киев: Вища школа, 1989, стр. 142-143.

Дата добавления: 2014-01-13