Самостійна робота

29.11.01

29.11.01

План

Последовательность команд

Последовательность команд

mov BX,offset words

mov SI,10

mov AX,[BX][SI]

загрузит в регистр AX слов со смещением 10 байтов от начала массива, т. е. число 50.

2.7. Базовый индексный со смещением. Адресуется память (байт или слово). Относительный адрес операнда определяется как сумма содержимого двух регистров и смещения. Обозначение этого способа адресации:

смещение [BX][SI](подразумевается DS: смещение[BX][SI])

смещение [BX][DI](подразумевается DS: смещение[BX][DI])

смещение [BP][SI](подразумевается SS: смещение[BP][SI])

смещение [BP][DI](подразумевается SS: смещение[BP][DI])

Допустимы также обозначения (со всеми регистрами) вида:

смещение [BX+SI ]

[смещение +BX+DI]

[BP][DI]+смещение

Пусть в сегменте данных определен массив из 24 байтов:

syms db ‘ЙЦУКЕНГШЩЗХЪ’

db ‘QWERTYUIOP{}’

mov BX,12

mov SI,6

mov DL,syms[BX][SI]

загрузит в регистр DL элемент с индексом 6 из второго ряда, т. е. код ASCII буквыU. Тот же результат можно получить, загрузив в один из регистров не индекс, а адрес массива:

mov BX,offset syms

mov SI,6

mov DL,12[BX][SI]

1. Социальная структура общества: понятие основные элементы, факторы формирования.

2. Социальные группы и их классификация. Характеристики малых групп.

3. Сущность социальной стратификации; типы стратификации. Классы в структуре стратификации и их значение.

4. Групповая динамика как результат социальных взаимодействий.

5. Основные процессы групповой динамики.

6. Проблемы управления групповой динамикой.

Организация - целевая, иерархическая и управляемая общность.

Социальная организация - группа людей, объединенная общимицелями и функционирующая на основе формализованной, иерархически построенной структуры, координации деятельности членов этой группы в соответствии с зафиксированными нормами и правилами, правами и обязанностями.

В этом определении перечисляются все главные признаки организаций. Кроме того, вся эта сложная структура нуждается в регулировании, поэтому социальные организации наделяются еще одним важным свойством - наличием управления, т. е. особым механизмом поддержания их существования.

Социальная структура – совокупность взаимосвязанных и взаимодействующих социальных групп, институтов и отношений между ними на основе социально значимой деятельности и разделения труда.

Основные элементы социальной структуры – большие группы людей, выделяющиеся:

- на основе разделения труда (город и деревня, физический и умственный);

- в зависимости от типа отношений собственности и размеров получаемого продукта (классы, сословные группы);

- по территориальному признаку (поселенческие группы);

- по социально-демографическим и социально-этническим характеристикам (пол, возраст, национальность).

Все они, в свою очередь, имеют сложную структуру и делятся на другие слои и группы.

Общность – реально существующая, эмпирически фиксируемая совокупность индивидов, отличающаяся относительной целостностью и выступающая самостоятельным субъектом исторического и социального действия и поведения. Природа базовых признаков, на основе которых выделяется та или иная социальная общность, определяет существование социальных общностей в узком смысле этого слова (совпадающих с социальными классами и слоями населения, их различными комбинациями, «пересечениями»), и общностей демографических, этнических, политических, культурных, территориальных и т. д. В зависимости от структуры, способов возникновения и функционирования, социальные общности могут быть формальными и неформальными. спонтанно и институционализированно образованными, официальными и неофициальными и т. д.

Группа – любая совокупность людей, объединенных социально значимыми признаками, которой свойственны:

- органический характер (внутренняя структура, в результате наличия которой свойства данной целостности не сводятся к простой сумме свойств входящих в нее элементов);

- определенность и устойчивость границ (относительно высокая стабильность существования в пространстве и времени);

- способность осуществлять различные виды деятельности;

- выраженная однородность состава (наличие признаков, присущих всем индивидам, входящим в группу);

- вхождение в более широкие общности в качестве их структурного образования;

- наличие взаимодействия между ее членами;

- появление разделяемых ожиданий каждого члена группы относительно других ее членов.

Социальные группы классифицируются в зависимости от:

- размеров группы (большие, малые, средние);

- социально значимых критериев (номинальные (или социальные категории), реальные).

Социальная группа – совокупность людей, обладающих каким-либо общим социальным признаком (профессия, одинаковый стаж работы, сходные права и обязанности). Могут быть:

1) реальными (всегда организационно оформлены, т. е. имеют руководителя, четкое распределение функций), делятся на:

- производственно-функциональные (целевые) (создаются в соответствии с приказами, распоряжениями, штатными расписаниями);

- общественно-организационные (профсоюзы);

- социально-психологические (образуются на основе личных симпатий, дружбы, общих ценностных ориентаций, увлечений и интересов);

2) условными (номинальные, статистические совокупности, вычленяемые по таким признакам, как пол, возраст, стаж работы и т. д.), делятся на:

- профессионально-квалификационные (складываются из профессиональных и квалификационных групп, отражающих дифференциацию внутри страт);

- социально-демографические (объединяют людей, сходных по возрасту, полу, семейному положению, стажу работы).

Квазигруппы:

- спонтанные образования;

- отсутствует разнообразие во взаимодействиях (это либо только прием и передача информации, либо только выражение протеста или восторга и т. д.);

- неустойчивость взаимосвязей;

- кратковременность совместных действий.

Квазигруппы обычно существуют непродолжительное время, после чего либо распадаются, либо превращаются в устойчивые социальные группы c постоянными социальными связями. Таким образом, квазигруппы - это некоторые переходные образования, отличия от них социальных групп: организованность, устойчивость, сложившаяся внутренняя структура. К квазигруппам относятся: агрегации, аудитории, толпа, социальные круги.

Агрегация - некоторое количество людей, собранном в определенном физическом пространстве и не осуществляющих сознательных взаимодействий.

Толпа - временное собрание людей, объединенных в определенном физическом пространстве общностью интересов. У нее нет групповой структуры в виде системы статусов и ролей; социальная структура очень проста и редко бывает сложнее, чем разделение на лидера и всех остальных; нет единых норм и привычек поведения; нет опыта предшествующих взаимодействий. В толпе люди ведут себя не как близкие и знакомые, а как посторонние. Характеристики толпы: внушаемость, анонимность, спонтанность, неуязвимость, скученность (тесное физическое соприкосновение людей).

Типы толпы:

- случайная;

- конвенциальная (зрители, болельщики);

- экспрессивная (дискотеки, фестивали);

- активная - любая из вышеперечисленных, проявляющая себя в действии.

Малая группа (первичная, контактная, неформальная) - небольшое число людей, которые хорошо знают друг друга и постоянно взаимодействуют между собой. Признаки:

- ограниченное число членов, от 2 до 20, в среднем - 7 и <;

- стабильность состава - малая группа держится на индивидуальной неповторимости и незаменимости участников;

- внутренняя структура, включающая систему неформальных ролей и статусов, механизм социального контроля, санкции, нормы и правила поведения;

- число связей увеличивается в геометрической прогрессии, если количество членов возрастает в арифметической;

- чем меньше по размерам группа, тем интенсивнее взаимодействие в ней;

- размеры группы зависят от характера ее деятельности (финансовые комитеты крупных банков - 5 - 7 человек, парламентские комитеты, занятые обсуждением вопросов - 14 - 15 человек);

- принадлежность к группе побуждается надеждой найти в ней удовлетворение личных запросов;

- взаимодействие в группе лишь тогда устойчивое, когда оно сопровождается взаимным подкреплением участвующих в нем людей;

- группа предоставляет каждому максимум возможных преимуществ, поскольку представляет собой объединение равно полезных друг другу индивидов, каждый из которых получает больше пользы от пребывания в данной группе, чем в любой другой.

Стратификация - совокупность расположенных в вертикальном порядке социальных слоев, основанная на различиях в образовании, обладании властью, доходе и престиже. Другими словами, социальная стратификация фиксирует общественное неравенство или расположение людей в статусной иерархии сверху вниз по указанным четырем критериям. они исчерпывают круг каналов доступа к социальным благам, к которым стремятся люди.

Страта - социальный слой людей, имеющих сходные объективные показатели по 4 шкалам стратификации. Существуют 3 базисных вида стратификации:

- экономическая (доход);

- политическая (власть)

- профессиональная (престиж).

А также множество небазисных, например, культурно-речевая и возрастная. Принадлежность к страте измеряется субъективными (ощущение причастности к данной группе, принадлежности к ней) и объективными показателями (вхождение в определенный слой в соответствии с доходом, властью, образованием, престижем).

Исторические типы стратификации: рабство, касты, сословия, классы.

Рабство - экономическая, социальная и юридическая форма закрепощения людей, граничащая с полным бесправием и крайней степенью неравенства. Единственная в истории форма социальных отношений, когда один человек выступает собственностью другого и когда низший слой лишен всяких прав и свобод.

Касты - некоторое число иерархически ранжированных, закрытых эндогамных страт с системой предписанных ролей, где запрещены браки и резко ограничены контакты между представителями различных каст.

Сословие - социальная группа, обладающая закрепленными обычаем или юридическим законом и передаваемыми по наследству правами и обязанностями.

Класс - в широком смысле - большая социальная группа людей, владеющих либо не владеющих средствами производства, занимающая определенное место в системе общественного разделения труда и характеризующаяся специфическим способом получения дохода.

В узком - любая социальная страта в современном обществе, отличающаяся от других доходом, образованием, властью, престижем.

Закрытое общество - социальные перемещения из низших страт в высшие полностью запрещено, либо существенно ограниченно. Открытое - перемещения из одной страты в другую никак официально не ограничены.

Групповая динамика - процесс становления сплоченности группы, ее движение от стадии к стадии (ее развитие). Основные процессы групповой динамики:

- образование группы;

- структурализация;

- функционирование;

- развитие и преобразование Þ формирование сплоченного коллектива.

Устойчивые социальные взаимодействия в группе формируют определенные чувства, симпатии и антипатии, на основе которых появляются установки и привычки, лежащие в основе отношений.

Сплоченность - внутригрупповое психологическое единство, готовность к совместным действиям.

Различают деловую и эмоциональную сплоченность.

Деловая подразделяется на сработанность - готовность к продуктивной деятельности при минимальных затратах на ее организацию, высокая удовлетворенность самой деятельностью и организованность - способность группы к активной перестройке деятельности в экстремальных, стрессовых условиях.

Эмоциональная сплоченность - групповое сцепление через взаимность выбора.

Нормообразование в группе - процесс формирования норм и правил в самой группе. Нормы - регуляторы социального поведения членов группы. Неформальные нормы - формируются за счет межличностных отношений в группе и существуют как привычная форма поведения. Формальные нормы.

Групповое давление - состояние психологического требования группы по отношению к ее членам по поводу выполнения каких-либо норм поведения и деятельности.

Лидер - наиболее авторитетный член группы.

Роли в группе - лидер, признаваемый, отвергаемый, игнорируемый (аутсайдер).

Стили лидерства - авторитарный, демократический, попустительский, комбинированный (ситуативный). Исследование Г. д. - социометрия.

В статическом режиме потребляет инвертор 0,01 –0,1 мкВт;

В динамическом не более 100 мкВт, на частоте 1 Мгц;

Температура кристалла уменьшается.

Диапазон 15В;

Помехозащищенность 30 – 45 % от значения питающего напряжения;

Высокая нагрузочная способность до 1000 входов;

Переходное сопротивление до 10¹⁵ Ом.

МНОП

(Металл – нитрид кремния – окисел – полупроводник)

Обладает большой пассивирующей способностью. Это дает возможность снизить пороговое напряжение на 1 –1,5 В и повысить крутизну.

На таких структурах строятся запоминающиеся устройства, сохраняющие информацию при отключенном источнике питания. При использовании такой структуры толщина диэлектрика уменьшается в 1,5 раза. Толщина диэлектрика – 0,005 микрона. Это запоминающее устройство с электрическим стиранием и записью информации.

МОАП

(Металл – окисел –алюминий – полупроводник)

в качестве второго подзатворного диэлектрика используется Al₂O₃. Он способен создавать на границе с двуокисью кремния встроенный отрицательный заряд, что позволяет нам получать n – канальные приборы работающие в режиме обогащения. Пороговое напряжение – (+1) В. Недостатки обычной структуры в процессе изготовления, при использовании фотолитографии появляется перекрытие затвором областей истока и стока, а следовательно появление дополнительных паразитных емкостей, которые будут снижать быстродействие прибора, поэтому используют в качестве затвора поликристаллический кремний.

При этом:

1) Уменьшаются встроенные паразитные емкости;

2) Уменьшается глубина залегания p-n переходов С-И от 2 до 1 микрона;

3) Совместимость материала затвора с материалом защитного слоя позволяет сближать контакты С-И, уменьшать размеры областей и всего в целом прибора.

4) Снижение толщины диэлектрика от 0,1 до 0,007 микрон позволяет увеличить крутизну, повысить быстродействие;

5) Использование поликристаллического кремния дает снижение контактной разности потенциалов, уменьшение порогового напряжения.

ЛИПЗ МДП

(Лавинная – инжекционная – плавающий затвор МДП)

Эта структура элементная база запоминающих устройств современных БИС.

Механизм зарядки плавающего затвора основан на следующем: на сток р – канального МДП транзистора подается отрицательный потенциал, по мере увеличения отрицательного потенциала напряжение смещение, обедненный слой и электрическое поле в нем будут расти. Электрическое поле в обедненной области обратно смещенного стокового p-n перехода формирует большое количество высокоэнергетических «горячих» электронов, обладающих достаточной энергией, чтобы преодолеть потенциальный барьер, границы раздела кремний – двуокись кремния, т.е. тонкий подзатворный диэлектрик. Преодолев подзатворный диэлектрик «горячие» электроны будут стекаться на плавающий затвор. Предварительно за счет емкостной связи подается притягивающее их положительное напряжение смещения. По мере заряда плавающего затвора, на нем будет аккумулироваться отрицательный заряд, который будет создавать поле препятствующее процессу зарядки. При этом ток лавинной инжекции через диэлектрик будет уменьшаться и при определенной величине заряда снизится до нуля. Практически для зарядки электронами плавающего затвора на сток необходимо подать отрицательный импульс напряжения, причем величина аккумулирования заряда на затворе будет зависеть от амплитуды и длительности импульса, приложенного напряжения, а также геометрических размеров материала затвора и подзатворного диэлектрика. После зарядки плавающего затвора электронами в области канала образуется инверсный слой, т.е. транзистор переходит в открытое состояние, т.е. хранит 0, Т.К. плавающий затвор окружен SiO₂, то заряд сохраняется очень длительное время (при температуре 25° С за 10 лет уменьшается на 30%). Стирание осуществляется с помощью облучения ультрафиолетовыми лучами, причем длина волны должна быть достаточна для того, чтобы фотоны могли передать свою энергию электронам и вернуть их обратно.

Плавающий затвор может находиться в двух состояниях открытом и закрытом. Модификация этого прибора: плавающий и управляющий затвор.

Сопротивление подложки 5 Ом/см.

В этом случае зарядка плавающего затвора также осуществляется за счет лавинной инжекции. В процессе зарядки на управляющий затвор подается положительное напряжение, что повышает уровень инжекции и эффективность записи. Стирание с помощью электрического импульса.

Такие приборы с постоянной памятью, с электрическим стиранием позволяет осуществлять перезапись не всей, а только части информации. Это используется в БИС электрического стирания перепрограммируемого запоминающего устройства. В режиме стирания к управляющему затвору прикладывают положительный потенциал. Время стирания зависит от напряжения стирания. Напряжение около 50 В, могут выдерживать 50 циклов перезаписи.

Для того, чтобы уменьшить напряжение стирания рекомендуется: управляющий электрод должен быть разделен слоем нитрида кремния – 0,7 микрона.

Эти приборы не удовлетворяют всем требованиям. Существует новая структура: МДП структура с двумя плавающими затворами – один из них управляющий, второй плавающий.

Этот вариант является наиболее перспективным. Обладает большой информационной емкостью, высоким быстродействием, изготавливается на основе совмещенной технологии с применением пленок поликремния для обоих затворов, используя самосовмещение ионного легирования. Управление запоминающим элементом осуществляется за счет емкостной связи: УЗ-ПЗ, ПЗ-ПП. Для достижения максимальной емкостной связи, толщина межзатворного диэлектрика должна быть соизмерима с толщиной подзатворного диэлектрика. Зарядка осуществляется также «горячими» электронами и в режиме зарядки на сток и затвор одновременно подается большое напряжение около 20 В инжекция горячих электронов в плавающий затвор осуществляется полем со стороны управляющего затвора. Параметры этого транзистора зависят от длины канала (желаемая длина 3 – 4 микрона).

Это вариант запоминающего элемента с электрическим стиранием n – канального МДП транзистора с двумя поликристаллическими затворами и тонким туннельным подзатворным диэлектриком. Работа этого транзистора осуществляется на основе эффекта туннелирования, когда электрическое поле в диэлектрике становится больше 10⁷ В/см электроны с отрицательно заряженного электрода могут попасть в зону проводимости диэлектрика пройдя через запрещенную зону, они достигнут положительного электрода. Туннелирование через диэлектрик используется как для заряда, так и для разряда затвора. При подаче на управляющий затвор напряжения соответствующей полярности при нулевом напряжении на остальных электродах на плавающий затвор через емкостную связь подается положительное напряжение, электроны проходя через туннельный окисел заряжают плавающий затвор и наоборот, при подаче на область С, И и П положительного напряжения порядка 17 В, при нулевом напряжении на управляющем затворе происходит разрядка плавающего затвора.

Для создания на основе запоминающего элемента запоминающего устройства с электрическим стиранием необходимо осуществлять развязку между матричным накопителем и схемой управления, с этой целью запоминающий элемент помещают в карман p^– типа.

На основе таких структур получаются программируемые логически устройства.

Очень удобные для изготовления заказных интегральных микросхем.

Конструкция ДМОП транзистора

1 – область канала;

2 – область дрейфа.

Такая конструкция специально разработана для обеспечения высокого быстродействия за счет уменьшения длины канала до субмикронных размеров 0,4 – 1 микрон.

Канал получается диффузионным путем, поэтому транзистор называется диффузионный МДП транзистор. Короткий канал формируется в приповерхностном слое кремния р – типа. Число носителей в этом канале определяется напряжением на затворе, а скорость их перемещения напряжением между И и С. произведение числа носителей на их скорость пропорциональна току стока.

В обедненной n – области между каналом и стоком, при напряжении на стоке больше напряжения насыщения на стоке электроны прошедшие канал инжектируются в объемный заряд и дрейфуют к стоку в сильном электрическом поле. Время переключения таких транзисторов 1 нс и менее, пробивное напряжение 300 – 400 В.

Применяется в БИСах, быстрых переключающих устройствах, с высоким рабочим напряжением и большой мощностью.

В статическом режиме потребляет инвертор 0,01 –0,1 мкВт;

В динамическом не более 100 мкВт, на частоте 1 Мгц;

Температура кристалла уменьшается.

Диапазон 15В;

Помехозащищенность 30 – 45 % от значения питающего напряжения;

Высокая нагрузочная способность до 1000 входов;

Переходное сопротивление до 10¹⁵ Ом.

МНОП

(Металл – нитрид кремния – окисел – полупроводник)

Обладает большой пассивирующей способностью. Это дает возможность снизить пороговое напряжение на 1 –1,5 В и повысить крутизну.

На таких структурах строятся запоминающиеся устройства, сохраняющие информацию при отключенном источнике питания. При использовании такой структуры толщина диэлектрика уменьшается в 1,5 раза. Толщина диэлектрика – 0,005 микрона. Это запоминающее устройство с электрическим стиранием и записью информации.

МОАП

(Металл – окисел –алюминий – полупроводник)

в качестве второго подзатворного диэлектрика используется Al₂O₃. Он способен создавать на границе с двуокисью кремния встроенный отрицательный заряд, что позволяет нам получать n – канальные приборы работающие в режиме обогащения. Пороговое напряжение – (+1) В. Недостатки обычной структуры в процессе изготовления, при использовании фотолитографии появляется перекрытие затвором областей истока и стока, а следовательно появление дополнительных паразитных емкостей, которые будут снижать быстродействие прибора, поэтому используют в качестве затвора поликристаллический кремний.

При этом:

1) Уменьшаются встроенные паразитные емкости;

2) Уменьшается глубина залегания p-n переходов С-И от 2 до 1 микрона;

3) Совместимость материала затвора с материалом защитного слоя позволяет сближать контакты С-И, уменьшать размеры областей и всего в целом прибора.

4) Снижение толщины диэлектрика от 0,1 до 0,007 микрон позволяет увеличить крутизну, повысить быстродействие;

5) Использование поликристаллического кремния дает снижение контактной разности потенциалов, уменьшение порогового напряжения.

ЛИПЗ МДП

(Лавинная – инжекционная – плавающий затвор МДП)

Эта структура элементная база запоминающих устройств современных БИС.

Механизм зарядки плавающего затвора основан на следующем: на сток р – канального МДП транзистора подается отрицательный потенциал, по мере увеличения отрицательного потенциала напряжение смещение, обедненный слой и электрическое поле в нем будут расти. Электрическое поле в обедненной области обратно смещенного стокового p-n перехода формирует большое количество высокоэнергетических «горячих» электронов, обладающих достаточной энергией, чтобы преодолеть потенциальный барьер, границы раздела кремний – двуокись кремния, т.е. тонкий подзатворный диэлектрик. Преодолев подзатворный диэлектрик «горячие» электроны будут стекаться на плавающий затвор. Предварительно за счет емкостной связи подается притягивающее их положительное напряжение смещения. По мере заряда плавающего затвора, на нем будет аккумулироваться отрицательный заряд, который будет создавать поле препятствующее процессу зарядки. При этом ток лавинной инжекции через диэлектрик будет уменьшаться и при определенной величине заряда снизится до нуля. Практически для зарядки электронами плавающего затвора на сток необходимо подать отрицательный импульс напряжения, причем величина аккумулирования заряда на затворе будет зависеть от амплитуды и длительности импульса, приложенного напряжения, а также геометрических размеров материала затвора и подзатворного диэлектрика. После зарядки плавающего затвора электронами в области канала образуется инверсный слой, т.е. транзистор переходит в открытое состояние, т.е. хранит 0, Т.К. плавающий затвор окружен SiO₂, то заряд сохраняется очень длительное время (при температуре 25° С за 10 лет уменьшается на 30%). Стирание осуществляется с помощью облучения ультрафиолетовыми лучами, причем длина волны должна быть достаточна для того, чтобы фотоны могли передать свою энергию электронам и вернуть их обратно.

Плавающий затвор может находиться в двух состояниях открытом и закрытом. Модификация этого прибора: плавающий и управляющий затвор.

Сопротивление подложки 5 Ом/см.

В этом случае зарядка плавающего затвора также осуществляется за счет лавинной инжекции. В процессе зарядки на управляющий затвор подается положительное напряжение, что повышает уровень инжекции и эффективность записи. Стирание с помощью электрического импульса.

Такие приборы с постоянной памятью, с электрическим стиранием позволяет осуществлять перезапись не всей, а только части информации. Это используется в БИС электрического стирания перепрограммируемого запоминающего устройства. В режиме стирания к управляющему затвору прикладывают положительный потенциал. Время стирания зависит от напряжения стирания. Напряжение около 50 В, могут выдерживать 50 циклов перезаписи.

Для того, чтобы уменьшить напряжение стирания рекомендуется: управляющий электрод должен быть разделен слоем нитрида кремния – 0,7 микрона.

Эти приборы не удовлетворяют всем требованиям. Существует новая структура: МДП структура с двумя плавающими затворами – один из них управляющий, второй плавающий.

Этот вариант является наиболее перспективным. Обладает большой информационной емкостью, высоким быстродействием, изготавливается на основе совмещенной технологии с применением пленок поликремния для обоих затворов, используя самосовмещение ионного легирования. Управление запоминающим элементом осуществляется за счет емкостной связи: УЗ-ПЗ, ПЗ-ПП. Для достижения максимальной емкостной связи, толщина межзатворного диэлектрика должна быть соизмерима с толщиной подзатворного диэлектрика. Зарядка осуществляется также «горячими» электронами и в режиме зарядки на сток и затвор одновременно подается большое напряжение около 20 В инжекция горячих электронов в плавающий затвор осуществляется полем со стороны управляющего затвора. Параметры этого транзистора зависят от длины канала (желаемая длина 3 – 4 микрона).

Это вариант запоминающего элемента с электрическим стиранием n – канального МДП транзистора с двумя поликристаллическими затворами и тонким туннельным подзатворным диэлектриком. Работа этого транзистора осуществляется на основе эффекта туннелирования, когда электрическое поле в диэлектрике становится больше 10⁷ В/см электроны с отрицательно заряженного электрода могут попасть в зону проводимости диэлектрика пройдя через запрещенную зону, они достигнут положительного электрода. Туннелирование через диэлектрик используется как для заряда, так и для разряда затвора. При подаче на управляющий затвор напряжения соответствующей полярности при нулевом напряжении на остальных электродах на плавающий затвор через емкостную связь подается положительное напряжение, электроны проходя через туннельный окисел заряжают плавающий затвор и наоборот, при подаче на область С, И и П положительного напряжения порядка 17 В, при нулевом напряжении на управляющем затворе происходит разрядка плавающего затвора.

Для создания на основе запоминающего элемента запоминающего устройства с электрическим стиранием необходимо осуществлять развязку между матричным накопителем и схемой управления, с этой целью запоминающий элемент помещают в карман p^– типа.

На основе таких структур получаются программируемые логически устройства.

Очень удобные для изготовления заказных интегральных микросхем.

Конструкция ДМОП транзистора

1 – область канала;

2 – область дрейфа.

Такая конструкция специально разработана для обеспечения высокого быстродействия за счет уменьшения длины канала до субмикронных размеров 0,4 – 1 микрон.

Канал получается диффузионным путем, поэтому транзистор называется диффузионный МДП транзистор. Короткий канал формируется в приповерхностном слое кремния р – типа. Число носителей в этом канале определяется напряжением на затворе, а скорость их перемещения напряжением между И и С. произведение числа носителей на их скорость пропорциональна току стока.

В обедненной n – области между каналом и стоком, при напряжении на стоке больше напряжения насыщения на стоке электроны прошедшие канал инжектируются в объемный заряд и дрейфуют к стоку в сильном электрическом поле. Время переключения таких транзисторов 1 нс и менее, пробивное напряжение 300 – 400 В.

Применяется в БИСах, быстрых переключающих устройствах, с высоким рабочим напряжением и большой мощностью.

Класифікація шкідливих домішок [3] (2 години) - (5 годин).

Порівняльна характеристика систем вентиляції. Їх розрахунок [2] (2 години) - (5 годин).

Нормативні документи щодо освітлення [2] (2 години) - (4 години).

Дата добавления: 2014-01-13