Модули второго поколения

Модули первого поколения

Часть адресных и управляющих сигналов буферизированы. Модули создают минимальную нагрузку на шину памяти, но буферные ИМС вносят дополнительную задержку ≈ 5 нс.

Модули комплектуются ИМС асинхронной DRAM (FPM, EDO, BEDO). Напряжение питания в основном 5 В. Применяется параллельная идентификация – параметры: быстродействия, скорость и типа ИМС, передаются через 8 выводов идентификации PD8-PD1.

Ёмкость модулей от 8 МБ до 256МБ

Комплектуются ИМС FPM, EDO, SD RAM

В модулях используется последовательная идентификация параметров по двухпроводному интерфейсу I²C. Параметры идентификации хранятся в энергонезависимой памяти 24С02 (EEPROM)

Используются модули, у которых входные – выходные цепи не буферизированы, эти модули сильнее загружают шину памяти, но позволяют реализовать максимальное быстродействие. Можно подключить 1-4 модуля. Емкость модулей 8 МБ- 512 МБ.

Используются модули синхронной памяти, у которых адресные и управляющие сигналы буферизированы регистрами (Registered DIMM) Эти модули меньше загружают шину памяти, что позволяет получить больший объём памяти. Объём модулей 64МБ – 1024 МБ

3.2 DIMM – 184 pin

Комплектуются ИМС DDR SDRAM

Ключ один между 52 и 53 контактами. Если ключ смещён влево U_пит- 2,5В, если по центру – 1,8В. Есть модули, использующие буферизацию регистрами и без них. Идентификация последовательная. Емкость модулей от 64МБ до 1ГБайта.

3.3 DIMM – 240 pin

Комплектуются ИМС DDR2 SDRAM

Напряжение питания 1,8В. Есть модули, использующие буферизацию регистрами и без них. Идентификация последовательная. Емкость модулей от 256МБ до 4ГБайт.

Дата добавления: 2014-11-06