Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Модули второго поколения




Модули первого поколения

Часть адресных и управляющих сигналов буферизированы. Модули создают минимальную нагрузку на шину памяти, но буферные ИМС вносят дополнительную задержку ≈ 5 нс.

Модули комплектуются ИМС асинхронной DRAM (FPM, EDO, BEDO). Напряжение питания в основном 5 В. Применяется параллельная идентификация – параметры: быстродействия, скорость и типа ИМС, передаются через 8 выводов идентификации PD8-PD1.

Ёмкость модулей от 8 МБ до 256МБ

 

 

Комплектуются ИМС FPM, EDO, SD RAM

В модулях используется последовательная идентификация параметров по двухпроводному интерфейсу I2C. Параметры идентификации хранятся в энергонезависимой памяти 24С02 (EEPROM)

Используются модули, у которых входные – выходные цепи не буферизированы, эти модули сильнее загружают шину памяти, но позволяют реализовать максимальное быстродействие. Можно подключить 1-4 модуля. Емкость модулей 8 МБ- 512 МБ.

Используются модули синхронной памяти, у которых адресные и управляющие сигналы буферизированы регистрами (Registered DIMM) Эти модули меньше загружают шину памяти, что позволяет получить больший объём памяти. Объём модулей 64МБ – 1024 МБ

3.2 DIMM – 184 pin

Комплектуются ИМС DDR SDRAM

Ключ один между 52 и 53 контактами. Если ключ смещён влево Uпит- 2,5В, если по центру – 1,8В. Есть модули, использующие буферизацию регистрами и без них. Идентификация последовательная. Емкость модулей от 64МБ до 1ГБайта.

3.3 DIMM – 240 pin

Комплектуются ИМС DDR2 SDRAM

Напряжение питания 1,8В. Есть модули, использующие буферизацию регистрами и без них. Идентификация последовательная. Емкость модулей от 256МБ до 4ГБайт.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-11-06; Просмотров: 416; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.