КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Неравновесные носители тока в полупроводнике
До сих пор рассматривались концентрации электронов и дырок, устанавливающаяся при термодинамическом равновесии полупроводника. Но можно создать концентрацию носителей, превышающую равновесную. Например, при облучении кристалла светом частоты с энергией квантов , большей чем ширина запрещённой зоны . Световой квант может передать свою энергию электрону и перевести его из связанного в свободное состояние - произойдет генерация электронно-дырочной пары. Появляющиеся за счёт облучения дополнительные носители называют неравновесными, а возрастание электропроводности кристалла, вследствие этого, - фотопроводимостью. Как и в случае равновесных носителей, процесс генерации электронов и дырок под действием света сопровождается обратным процессом рекомбинации носителей. Когда скорости прямого и обратного процессов становятся одинаковыми, в полупроводнике устанавливается стационарная (но неравновесная в термодинамическом смысле!) концентрация носителей. Рассмотрим случай собственного полупроводника, в котором равновесные (т.е. в отсутствие освещения) концентрации электронов проводимости и дырок пренебрежимо малы по сравнению с их концентрациями, создаваемыми светом. Это означает, что освещенность кристалла достаточно велика. Скорость изменения концентрации электронов определяется соотношением скоростей генерации и рекомбинации: (16) Можно считать, что скорость генерации пропорциональна числу световых квантов, падающих на единицу поверхности кристалла в единицу времени, и, следовательно, пропорциональна освещенности : (17) где - коэффициент пропорциональности, зависящий не только от свойств полупроводника, но и от частоты или спектрального состава падающего света. Скорость рекомбинации носителей, как и раньше, определяется соотношением (12). В результате получаем: (18) Рассмотрим, прежде всего, стационарный режим, в котором и . Уравнение (18) даёт для стационарной концентрации (19) При выключении освещения в полупроводнике идут только процессы рекомбинации, приводящие к непрерывному уменьшению концентрации носителей. Чтобы получить соответствующую зависимость , надо положить в уравнении (18) и, переписал его в виде выполнять интегрирование. Постоянную интегрирования найдем из условия при (момент соответствует выключению освещения). Это дает: (20) Величину (21) называют временем жизни носителей. Как следует из (20), за время концентрация носителей уменьшается в два раза.
Дата добавления: 2014-11-07; Просмотров: 556; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |