Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Краткие теоретические сведения. Лабораторная работа N 13




Лабораторная работа N 13

«Изучение статических характеристик биполярного транзистора»

 

Цель работы:

 

1. Измерить статические характеристики биполярного транзистора (входные, передачи тока, выходные, переходные) в схеме с общим эмиттером;

2. По снятым характеристикам рассчитать низкочастотные малосигнальные h- параметры биполярного транзистора для схем с ОЭ и ОБ в указанных ниже режимах;

3. Изучить основные процессы, протекающие в биполярном транзисторе.

Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирова­ния электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей – основные и неосновные, поэтому его называют биполярным.

Рис. 1. Схематическое изображение транзистора типа p‑n‑p:

Э – эмиттер, Б – база, К – коллектор, W – толщина базы, ЭП – эмиттерный переход, КП – коллекторный переход

Биполярный транзистор состоит из трех областей монокристаллического полупроводника: эмиттера, базы и коллектора (рис. 1).

Переход, который образуется на границе эмиттер‑база, называется эмиттерным, а на границе база‑коллектор – коллекторным. В зависимости от типа проводимости крайних слоев различают транзисторы p‑n‑p и n‑p‑n.

Условные обозначения обоих типов транзисторов, рабочие полярности напряжений и направления токов показаны на рис. 2.

Рис. 2. Условные обозначения биполярных транзисторов:

а) p‑n‑p, б) n‑p‑n

По технологии изготовления транзисторы делятся на сплавные, планарные, а также диффузионно‑сплавные, мезапланарные и эпитаксиально‑планарные (рис. 3).

Рис. 3. Разновидности транзисторов по технологии изготовления

Конструктивно биполярные транзисторы оформляются в металлических, пластмассовых или керамических корпусах (рис. 4).

Рис. 4. Конструктивное оформление биполярного транзистора

По характеру движения носителей тока в базе различают диффузионные и дрейфовые биполярные транзисторы.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-10-15; Просмотров: 500; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.