Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Биполярный транзистор в схеме с общей базой




На рис. 6а показана зонная диаграмма биполярного транзистора в схеме с общей базой в условиях равновесия. Значками «+»и «-» на этой диаграмме указаны основные и неосновные носители.

Для биполярного транзистора в схеме с общей базой активный режим (на эмиттерном переходе – прямое напряжение, на коллекторном – обратное) является основным. Поэтому в дальнейшем будет рассматриваться транзистор в активном режиме, для p‑n‑p биполярного транзистора U э > 0, U к < 0.

Для биполярного транзистора p‑n‑p типа в активном режиме эмиттерный переход смещен в прямом направлении, и через него происходит инжекция дырок как неосновных носителей в базу. База должна иметь достаточно малую толщину W (W << L p, где L p – диффузионная длина неосновных носителей), чтобы инжектированные в базу неосновные носители не успевали прорекомбинировать за время переноса через базу. Коллекторный переход, нормально смещенный в обратном направлении, «собирает» инжектированные носители, прошедшие через слой базы.

Распределение дырок p n(x), инжектированных эмиттером в базу при условии W << L p, в первом приближении описывается линейным законом:

(2)

Рис. 6. Зонная диаграмма биполярного транзистора:

а – в равновесном состоянии, б – в активном режиме

При приложении к эмиттерному переходу прямого напряжения U э > 0 в биполярном транзисторе p‑n‑p происходит инжекция дырок из эмиттера в базу I эp и электронов из базы в эмиттер I эn. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектированных дырок I эр будет намного превышать ток электронов I эn. Инжектированные в базу дырки в результате диффузии будут перемещаться к коллекторному переходу и если ширина базы W много меньше диффузионной длины L p, почти все дырки дойдут до коллектора и электрическим полем коллекторного p‑n‑p перехода будут переброшены в p ‑область коллектора. Возникающий вследствие этого коллекторный ток лишь немного меньше тока дырок, инжектированных эмиттером.

ВАХ БТ в активном режиме (U к < 0, | U к| >> 0):

(3а)

(3б)

Рис. 7. Токи в биполярном транзисторе в схеме с ОБ

,

I э – ток в цепи эмиттера, I к – ток в цепи коллектора, I б – ток на базовом выводе.

В активном режиме к эмиттеру приложено прямое напряжение и через переход течет ток

,

где I эр – ток инжекции дырок из эмиттера в базу, I эn – ток инжекции электронов из базы в эмиттер.

,

где I 0 – тепловой ток, I g – ток генерации.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-10-15; Просмотров: 539; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.