Биполярный транзистор в схеме с общей базой

На рис. 6а показана зонная диаграмма биполярного транзистора в схеме с общей базой в условиях равновесия. Значками «+»и «-» на этой диаграмме указаны основные и неосновные носители.

Для биполярного транзистора в схеме с общей базой активный режим (на эмиттерном переходе – прямое напряжение, на коллекторном – обратное) является основным. Поэтому в дальнейшем будет рассматриваться транзистор в активном режиме, для p‑n‑p биполярного транзистора U _э > 0, U _к < 0.

Для биполярного транзистора p‑n‑p типа в активном режиме эмиттерный переход смещен в прямом направлении, и через него происходит инжекция дырок как неосновных носителей в базу. База должна иметь достаточно малую толщину W (W << L _p, где L _p – диффузионная длина неосновных носителей), чтобы инжектированные в базу неосновные носители не успевали прорекомбинировать за время переноса через базу. Коллекторный переход, нормально смещенный в обратном направлении, «собирает» инжектированные носители, прошедшие через слой базы.

Распределение дырок p _n(x), инжектированных эмиттером в базу при условии W << L _p, в первом приближении описывается линейным законом:

(2)

Рис. 6. Зонная диаграмма биполярного транзистора:

а – в равновесном состоянии, б – в активном режиме

При приложении к эмиттерному переходу прямого напряжения U _э > 0 в биполярном транзисторе p‑n‑p происходит инжекция дырок из эмиттера в базу I _эp и электронов из базы в эмиттер I _эn. Ввиду того, что эмиттер легирован намного сильнее базы, ток инжектированных дырок I _эр будет намного превышать ток электронов I _эn. Инжектированные в базу дырки в результате диффузии будут перемещаться к коллекторному переходу и если ширина базы W много меньше диффузионной длины L _p, почти все дырки дойдут до коллектора и электрическим полем коллекторного p‑n‑p перехода будут переброшены в p ‑область коллектора. Возникающий вследствие этого коллекторный ток лишь немного меньше тока дырок, инжектированных эмиттером.

ВАХ БТ в активном режиме (U _к < 0, | U _к| >> 0):

(3а)

(3б)

Рис. 7. Токи в биполярном транзисторе в схеме с ОБ

,

I _э – ток в цепи эмиттера, I _к – ток в цепи коллектора, I _б – ток на базовом выводе.

В активном режиме к эмиттеру приложено прямое напряжение и через переход течет ток

,

где I _эр – ток инжекции дырок из эмиттера в базу, I _эn – ток инжекции электронов из базы в эмиттер.

,

где I ₀ – тепловой ток, I _g – ток генерации.

Дата добавления: 2014-10-15