Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Виды фотоприемников на основе диодов




Лабораторная работа N 16

«Определение основных характеристик фотодиода»

Оптоэлектронные приборы – это устройства, преобразующие оптическое излучение в электрический сигнал и наоборот, электрический сигнал в оптическое излучение. К первому виду оптоэлектронных приборов относятся фотоприемники и солнечные батареи, ко второму виду – светодиоды и полупроводниковые лазеры.

Рис. 1. Конструкции фотодиодов:

а – диод с p‑n переходом; бp‑i‑ n диод; в – диод со структурой металл – полупроводник; г – лавинный фотодиод (структура с охранным кольцом); д – диод на основе гетероструктуры

Для преобразования оптического излучения в электрический сигнал используется межзонное поглощение квантов света в полупроводниках, как наиболее эффективный канал преобразования энергии. При поглощении света генерируются неравновесные (основные и неосновные) носители. В фотоприемных устройствах, как правило, используется принцип регистрации неосновных носителей заряда. Наиболее распространенные фотоприемники реализуются на основе диодных структур. Среди них – фотодиоды на основе p-n переходов, барьеров Шоттки и гетеропереходов. На рис.1 приведена конструкция наиболее распространенных фотодиодов.

В фотодиодах на основе p‑n переходов используется эффект разделения на границе электронно‑дырочного перехода неосновных неравновесных носителей, созданных оптическим излучением. Схематически фотодиод изображен на рис. 2.

Рис. 2. Схематическое изображение фотодиода и схема его включения:

n – эмиттер, p – база




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-10-15; Просмотров: 683; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.006 сек.